[发明专利]包括环状栅沟槽的功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，该器件包括：

第一导电率的漂移区；

覆盖所述漂移区的第二导电率的基区；

穿过所述基区延伸到所述漂移区的多个环状沟槽；

形成在邻近所述基区的每个环状沟槽中的栅绝缘层；

位于每个环状沟槽中的栅电极。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中每个所述环状沟槽包括两个隔 开的平行沟槽以及两个连接到所述两个平行沟槽以形成环状沟槽的连接沟槽。

3.如权利要求2所述的功率半导体器件，其中所述连接沟槽为弧形。

4.如权利要求2所述的功率半导体器件，进一步包括设置在所述连接沟槽之 一的至少一部分上并且电连接到所述栅电极的栅总线。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述栅电极由导电多晶硅构成。

6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述栅绝缘由二氧化硅构成。

7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中每个所述环状沟槽包括弧状底 部。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件，进一步包括设置在每个环状沟槽底 部的绝缘体，所述绝缘体比所述栅绝缘厚。

9.如权利要求1所述的功率半导体器件，进一步包括位于所述体区域之上并 邻近所述每个环状沟槽的所述第一导电率的导电区域。

10.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述漂移区设置于衬底之上。

11.如权利要求10所述的功率半导体器件，其中所述衬底由硅构成。

12.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述功率半导体器件是 MOSFET。

13.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述功率半导体器件是IGBT。

14.一种功率半导体器件，该器件包括：

多个隔开的环状栅沟槽，每个所述环状栅沟槽包括两个相对的和隔开的通过连 接沟槽彼此连接以形成环状栅沟槽的沟槽；

至少衬在所述环状沟槽的壁上的栅绝缘衬层；

设置于每个环状沟槽中的环状栅电极；以及

电连接到每一个所述环状栅电极的电压供给总线。

15.如权利要求14所述的功率半导体器件，其中每个环状栅沟槽通过有源区 彼此隔开并且每个环状栅沟槽包括位于其内部区域中的有源区。

16.如权利要求14所述的功率半导体器件，其中所述连接沟槽是弧形的。

17.如权利要求14所述的功率半导体器件，其中每个有源区包括邻近各自栅 沟槽的第一导电率的导电区域以及设置于所述第一导电率的导电区域之间的第二 导电率的高导电率区域。

18.如权利要求16所述的功率半导体器件，进一步包括位于所述连接部分之 一的至少一部分上并电连接到设置于所述环状栅沟槽内的所述栅电极的栅总线。

19.如权利要求14所述的功率半导体器件，其中每个环状栅沟槽包括弧状底 部。