[发明专利]形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：

形成半导体衬底；

在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极；

在栅电极之下形成栅极电介质，其中栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域；其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在栅电极之下形成栅极电介质还包括：

形成第一电介质层；

向半导体衬底注入氧化增强核素以形成氧化增强区域；以及

氧化该氧化增强区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中注入氧化增强核素还包括向栅电极注入氧化增强核素以形成氧化增强区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述注入是倾斜地执行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在栅电极之下形成栅极电介质还包括：

形成第一电介质层；

向半导体衬底注入氧化减弱核素以形成氧化减弱区域；以及

氧化该半导体衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其中注入氧化减弱核素还包括向栅电极注入氧化减弱核素以形成氧化减弱区域。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述注入是倾斜地执行的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在栅电极之下形成栅极电介质还包括：

形成第一电介质层；

向半导体衬底注入氧化增强核素以形成氧化增强区域；

向半导体衬底注入氧化减弱核素以形成氧化减弱区域；以及

氧化半导体衬底，其中氧化包括在氧化增强区域中形成电介质。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成栅极电介质之后形成源极延伸区域和漏极延伸区域，其中源极延伸区域比漏极延伸区域深。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成栅极电介质之后，形成邻近栅电极的第一侧面的第一间隔件和邻近栅电极的第二侧面的第二间隔件。

11.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：

提供半导体衬底；

在该半导体衬底上形成电介质层；

在该电介质层上形成栅电极，其中该栅电极具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；

向栅电极的第一侧面和半导体衬底的第一区域注入氧化增强核素，其中该第一区域位于栅电极之下并且邻近栅电极的第一侧面；以及

将半导体衬底的第一区域转换为第一电介质，将半导体衬底的第二区域转换为第二电介质，其中该第二区域位于栅电极之下并且邻近栅电极的第二侧面，其中第一电介质的厚度大于第二电介质的厚度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述转换包括对半导体衬底进行退火。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述注入包括注入从锗、氧、氟和氯中选择的至少一种核素。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括向第二区域注入氧化减弱核素。

15.根据权利要求14所述的方法，其中注入氧化减弱核素包括注入氮。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在转换第一区域和第二区域之后形成源极延伸区域和漏极延伸区域，其中源极延伸区域比漏极延伸区域深。

17.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在转换之后形成邻近栅电极的第一侧面的第一间隔件和邻近栅电极的第二侧面的第二间隔件。

18.根据权利要求11所述的方法，其中倾斜地执行注入。