[发明专利]环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途

权利要求书

1.一种含硅膜形成材料，其含有下述通式(1)表示的环状硅氧烷化合物，

[化1]

式中，A表示包含选自氧原子、硼原子和氮原子中的至少一种的基团，R¹表示氢原子或烃基，n表示1或2，x表示2～10的整数。

2.权利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物中的A为烷氧基、硅烷氧基、烷氧基芳基、或烷氧基烷基。

3.权利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物中的A是烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。

4.权利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物中的A是烷基硼基、烷氧基硼基。

5.权利要求1～4中任何一项所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物的n是1，并且R¹是C_1～6的烷基。

6.权利要求1～5中任何一项所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物中的x是3～4。

7.权利要求1～6中任何一项所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的环状硅氧烷化合物的分子量小于1000。

8.权利要求1～7中任何一项所述的含硅膜形成材料，其中，硅、碳、氧、氢、氮、硼以外的杂质量小于10ppb，并且含水量小于50ppm。

9.一种含硅膜的制造方法，其中，使用权利要求1～8中任何一项所述的含硅膜形成材料作为原料。

10.权利要求9所述的制造方法，其中，通过化学气相沉积法进行成膜。

11.权利要求10所述的制造方法，其中，化学气相沉积法是等离子体增强化学气相沉积法。

12.一种含硅膜，其通过权利要求9～11中任何一项所述的制造方法制得。

13.权利要求12所述的含硅膜，其含有通式(1)表示的环状硅氧烷化合物中的环状硅氧烷结构。

14.一种含硅膜的制造方法，该方法包括，对权利要求12或13所述的含硅膜进行热处理、紫外线照射处理或电子射线处理。

15.一种含硅膜，其通过权利要求14所述的制造方法制得。

16.一种半导体器件，其使用权利要求12、13或15所述的膜作为绝缘膜。

17.一种环状硅氧烷化合物，该化合物用下述通式(20)表示，

[化2]

                            (20)

式中，R¹⁸表示烃基，R¹⁹表示氢原子或烃基，g表示2～10的整数，h表示1～3的整数。

18.权利要求17所述的环状硅氧烷化合物，其中，通式(20)表示的化合物是2，4，6-三异丙基-2，4，6-三甲氧基环三硅氧烷、2，4，6-三异丙基-2，4，6-三乙氧基环三硅氧烷、2，4，6-三异丙基-2，4，6-三正丙氧基环三硅氧烷、2，4，6-三异丙基-2，4，6-三异丙氧基环三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6-三(异丙氧基甲基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四(异丙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、2，4，6-三(异丙氧基乙基)-2，4，6-三甲基环三硅氧烷、或2，4，6，8-四(异丙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷。