[发明专利]浸没液体、曝光装置及曝光方法

权利要求书

1.一种装置制造方法，包括：

(i)将一成分加入液体，所述成分具有大于0.1kPa的蒸汽压力；

(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中：在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述水成液；

其中：所述成分的所述加入步骤增加了所述液体中的离子浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述成分具有大于水的蒸汽压力。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：所述成分降低了所述液体的pH值。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中：所述成分升高了所述液体的pH值。

5.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：所述成分具有至少1kPa的蒸汽压力。

6.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：相对于所述液体的总重量，所述液体包括至少90wt％的水。

7.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：相对于所述液体的总重量，所述液体包括至少99.9wt％的水。

8.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：所述成分在20℃和大气压时是气体。

9.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：包含所述成分的所述液体具有在4.5-6.0范围的pH值。

10.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：所述成分是二氧化碳或氨。

11.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：包含所述成分的所述液体实质是具有低于2.0kPa的缺少成分。

12.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：所述衬底是涂敷有抗蚀剂层的半导体晶片。

13.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：所述辐射线是波长范围在175nm-375nm内的UV辐射线。

14.根据前述权利要求的任一项的方法，还包括：在所述辐射线穿过包含所述成分的所述液体前，使所述辐射线穿过透镜阵列。

15.根据前述权利要求的任一项的方法，还包括：在所述辐射线穿过包含所述成分的所述液体前，使所述辐射线形成图案。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：所述构图步骤利用掩膜或单独的可编程元件阵列来实现。

17.根据前述权利要求的任一项的方法，其中：在所述曝光期间，所述感光衬底停留在衬底台上，所述衬底台包括传感器，所述传感器包括氮化钛和/或金属。

18.根据前述权利要求的任一项的方法，包括：将具有0.1kPa的蒸汽压力的至少两个成分加入所述液体。

19.利用前述权利要求的任一项的方法制造的装置。

20.根据权利要求19所述的装置，其中：所述装置是集成电路。

21.一种装置制造方法，包括：

(i)将酸或基剂加入液体，所述酸或基剂具有至少0.1kPa的蒸汽压力；

(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中：在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述液体。

22.根据权利要求21所述的方法，包括：将酸加到所述液体。

23.根据权利要求21所述的方法，包括：将基剂加到所述液体。

24.一种装置制造方法，包括：

(i)使辐射束形成图案；

(ii)使形成图案的辐射束穿过液体，所述液体包括由蒸汽压力大于0.1kPa的成分形成的离子；所述水成液的电导率至少为0.25μS/cm(如在25℃时确定)；和

(iii)使感光衬底暴露于形成图案的辐射束。

25.一种浸没式光刻系统，包括：

(i)浸没式光刻曝光装置；和

(ii)浸没液体，其具有在1.3-100μS/cm范围(如在25℃时确定)内的电导率。

26.根据权利要求25所述的系统，其中：所述电导率至少为5μS/cm。