[发明专利]浸没液体、曝光装置及曝光方法

说明书

相关申请的参照

当前申请要求2005年3月3日申请的美国专利申请11/071,044的优先权，所述美国专利申请要求2005年2月10日申请的美国临时专利申请60/651,513的权益。两个优先权申请通过参考整体并于此。

技术领域

本发明涉及浸没液体、曝光装置和曝光方法。

背景技术

由于浸没式光刻提供对临界尺寸和/或聚焦深度的改进，因此，浸没式光刻得到了关注。然而，该技术也面临一些问题。例如，一方面，当干燥超纯浸没液体弄湿的区域时，所述液体有利于使出现污染的可能性最小，但另一方面，可能会期望在浸没液体中加入添加剂、以影响或产生期望的属性。例如，可能期望在浸没液体中包含酸性成份，以避免或使所谓的T型顶(T-topping)或其它不期望的效果最小化。例如，当将被暴露于辐射线的衬底上的抗蚀剂层接触浸没液体，并且抗蚀剂中的成份(例如，感光成酸剂)扩散或溶解入浸没液体中时，可能会出现T型顶。参见EP 1482372Al。

由此，本发明的目的包括提供一种浸没液体，所述浸没液体包括一种或多种添加剂，并且具有减小的污染问题。

此外，本发明的目的包括避免或使由浸没液体的流动导致的流动电位势效应(streaming potential effects)最小化(下文将更详细地描述)。

发明内容

本发明提供了浸没液体、曝光装置和曝光方法。

在一个实施例中，本发明提供了由如下方法形成的浸没液体，所述方法包括：将离子形成成分(component)加入液体(例如水成液)，其中：所述离子形成成分的蒸汽压力大于0.1kPa，例如大于水的蒸汽压力。

在一个实施例中，本发明提供了pH值低于7的浸没液体，所述低于7的pH值至少部分地由蒸汽压力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。

在一个实施例中，本发明提供了pH值大于7的浸没液体，所述大于7的pH值至少部分地由蒸汽压力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。

在一个实施例中，本发明提供了电导率至少为0.1μS/cm的浸没液体，例如25℃时至少为1.3μS/cm。在一个实施例中，本发明提供一种浸没液体，其具有：在25℃时0.1-100μS/cm范围的电导率，例如在25℃时1.3-100μS/cm的范围。在一个实施例中，所述电导率至少部分地由蒸汽压力大于0.1kPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。

并且，本发明提供了使用浸没液体的方法，例如浸没式光刻方法。在一个实例中，本发明提供了一种制造方法，包括：使感光衬底暴露于辐射线，其中：在到达所述衬底前，所述辐射线已穿过浸没液体。

此外，本发明提供了浸没式光刻系统，其包括：浸没式光刻装置；和一种或多种浸没液体。

在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括：

(i)将蒸汽压力大于0.1kPa，例如大于水的蒸汽压力，的成分添加入液体；

(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中：在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述水成液，

其中：添加所述成分的所述添加步骤增加了所述液体中的离子浓度。

在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括：

(i)将酸加入液体，所述酸具有至少0.1kPa的蒸汽压力，例如至少5kPa；

(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中：在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述液体。

在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括：

(i)使辐射束形成图案；

(ii)使形成图案的辐射束穿过液体(例如，水成液)，所述液体包括由蒸汽压力大于0.1kPa的成分形成的离子，所述液体的电导率至少为0.25μS/cm；

(iii)使感光衬底暴露于形成图案的辐射束。

在一个实施例中，本发明提供了浸没式光刻系统，包括：

(i)浸没式光刻曝光装置；和

(ii)浸没液体，例如在25℃时电导率在0.1-100μS/cm范围内的浸没液体(例如，25℃时在1.3-100μS/cm的范围内)，或富含二氧化碳的浸没液体。

在一个实施例中，本发明提供了一种光刻装置，其具有电压发生器，能够在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。