[发明专利]具有电流密度增强层的薄膜电阻有效
| 申请号： | 200680004973.6 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101647075A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 埃尼尔·K·奇恩萨肯迪;埃贝内泽尔·E·爱顺 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01C1/012 | 分类号： | H01C1/012 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电流密度 增强 薄膜 电阻 | ||
1.一种用于半导体电路结构的薄膜电阻，包括：
具有阻抗值的导体材料薄膜层(20)；
形成于所述导体材料薄膜层(20)一侧上的电流密度增强层、即CDEL(50)，包含金属氧化物膜，其中，所述电流密度增强层(50)使得所述薄膜电阻能承载更高的电流密度同时减小了阻抗偏移。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其中，所述导体材料薄膜层(20)包含Ta、TaN、Ti、TiN、W、WN、NiCr或SiCr中的一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其中，所述金属氧化物膜包含Al2O3、Ta2O5、HfO2、ZrO2中的一种。
4.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其中，所述电流密度增强层(50)是利用原子层沉积工艺沉积的。
5.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其中，所述电流密度增强层(50)的厚度小于或等于
6.根据权利要求1所述的薄膜电阻，所述薄膜电阻在后段工序、即BEOL工艺中形成在所述半导体电路结构上。
7.根据权利要求6所述的薄膜电阻，所述薄膜电阻通过导电过孔结构电气耦合到位于所述半导体电路结构中的、与所述薄膜电阻没有电气耦合的金属层上。
8.根据权利要求1所述的薄膜电阻，所述薄膜电阻在前段工序、即FEOL工艺中形成在所述半导体电路结构上。
9.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其中，所述CDEL层(50)形成在所述导体材料薄膜层(20)上。
10.根据权利要求9所述的薄膜电阻，还包含形成于所述导体材料薄膜层(20)另一侧上的另外的CDEL层(50)。
11.根据权利要求2所述的薄膜电阻，其中，所述CDEL层(50)由适合于对所述导体材料薄膜层(20)具有粘附性的材料制成。
12.根据权利要求2所述的薄膜电阻，还包括形成在所述薄膜电阻上的绝缘层。
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