[发明专利]引线框架

说明书

技术领域

本发明涉及一种引线框架，具体的讲，涉及一种可被小型化的，具有优良的结构稳定性和热稳定性的引线框架，

背景技术

引线框架，与半导体芯片一道，是构成半导体封装的重要元件，引线框架不仅具有作为链接半导体封装的内部和外部的引线的功能，还具有作为支承半导体芯片的支承件的功能。

图1示出了一种传统的引线框架的结构。

参照图1，该传统引线框架包括用以在其上安装芯片，例如存储器装置，以保持芯片处于静态的芯片焊垫2，用以将芯片与外部线路相连的内部引线1和外部引线6，形成于芯片焊垫2和内部引线1之间的区域的导电条4用以将芯片接地并保持芯片电稳定，以及由粘合剂形成的复合膜状的引线锁5(lead lock)用以固定内部引线1。

由于传统的引线框架为了将半导体芯片接地，必须为导电条4保留一块区域，这就限制了引线框架尺寸的减小。另外，传统的引线框架的另一个问题在于，例如内部引线1等元件在下料时会由于导电条4区域的存在而发生形变。下面对这些问题作详细说明。为了在将安装于芯片焊垫2的半导体芯片线键合于内部引线1的过程中保持恒定的高度，芯片焊垫2形成于低于内部引线1所在区域的区域。在这时，为了保证引线框架的芯片焊垫2与导电条4间的高度差，需要在芯片焊垫2的区域形成两个或多个台阶。这造成半导体芯片与内部引线1间的高度差不一致，并因该高度差异导致了在半导体芯片与内部引线1的键合过程中，内部引线1经常发生形变。

另一方面，将引线框架方便的粘合于半导体芯片需要高温环境。此时，粘合于引线框架之上的引线锁的热膨胀系数与引线框架的膨胀系数不等。因此，当将引线锁，即合成膜粘合于引线框架之上以固定引线框架，并继而将其恢复至初始态时，引线框架的尺寸会由于合成膜而变得不准确。也就是说，由于引线框架的热膨胀系数一般比构成引线锁的合成膜的热膨胀系数大，其在高温时膨胀的较多。此后，合成膜及粘合剂就粘合在了引线框架之上。完成此工序后，当将合成膜在室温下恢复至其初始态时，因引线相框与合成膜的热收缩差异，在合成膜与引线框架之间会产生变形。该变形会导致引线框架与芯片分离或引线框架的间隔发生变化，从而会造成半导体芯片中形成缺陷。

第5545850号美国专利公开了一种引线锁与成型树脂的粘合的改进，其中引线锁包括金属层。该金属层仅用来改善与成型树脂的粘合，以降低在引线锁与成型树脂间的界面处发生分层的危险，并防止在线键合过程中引线锁与引线框架间发生变形。然而，并无法预期将该金属层用作地、电源或总线的功能。

技术问题

因此，有鉴于上述问题作出了本发明，本发明的一个目的在于提供一种引线框架，由于引线锁具有地、电源和总线的功能且不会在引线锁和引线框架间产生变形，从而排除了对导电条的需求，并因此使引线框架尺寸得到了减小。

技术方案

为实现上述目的，本发明提供了一种引线框架，包括：多条引线，电连接于一个半导体芯片；引线锁，包括设置于多条引线上的并由一种具有与内部引线相近的热膨胀系数的材料制成的基层，和设置于基层与多条引线之间的以固定多条引线并将基层粘合于引线的粘合层；以及至少一条配线，将半导体芯片与引线锁的基层电连接。

在本发明的一种具体实施方式中，基层的热膨胀系数与内部引线的热膨胀系数的差异在±10ppm的范围内。

在本发明的另一种具体实施方式中，引线所还可以包括形成于粘合层和基层之间的绝缘层。

在本发明的另一种具体实施方式中，可以通过固化粘合层的一部分形成绝缘层。

在本发明的另一种具体实施方式中，引线锁还可以进一步包括电镀层，该电镀层形成于基层至少一侧以加强配线与基层间的电连接。

在本发明另一种具体实施方式中，该电镀层可由银(Ag)制成。

在本发明的一种优选的实施方式中，引线框架还可以进一步包括外部连接终端和用于将引线锁与外部连接端链接的配线。

有益效果

按照根据本发明的具体实施方式，由于导电条的区域由引线锁代替而被取消了，因此可将引线框架小型化并且引线框架将具有出众的热稳定性和结构稳定性。另外，由于引线框架是在下放芯片焊垫时以单层的形式形成的，因此，可以更稳定的方式将内部引线和半导体芯片线健合。进一步的，由于是在引线框架上直接安装半导体芯片，因此可实现半导体芯片的分布。因此，由于芯片的分布，可实现芯片的热释放效应，并可将内部引线的排列形式由集中式变为分布式。

附图说明