[发明专利]内部重叠的调节装置无效
申请号: | 200680007006.5 | 申请日: | 2006-02-27 |
公开(公告)号: | CN101536282A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | W·安东尼;D·安东尼;A·安东尼 | 申请(专利权)人: | X2Y衰减器有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 勇 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部 重叠 调节 装置 | ||
1.一种能量调节装置的内部结构:
其中,所述内部结构具有一左侧表面,一右侧表面,一上侧表面,一下侧表面,一顶端表面和一底部表面;
其中,所述内部结构包括介电材料和导电材料;
其中,所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定了所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面,所述下侧表面,所述顶端表面,和所述底部表面;
其中,所述导电材料包括位于第一平面内的第一A导电层和第一B导电层;
其中,所述第一A导电层和第一B导电层在所述结构中彼此电绝缘;
其中,所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分;
其中,所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分;
其中,所述第一A导电层主体部分不延伸至所述左侧,右侧,上侧,和下侧中的任一个;
其中,所述第一B导电层主体部分不延伸至所述左侧,右侧,上侧,和下侧的任一个;
其中,所述至少一个第一A导电层第一接片延伸至所述左侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面;以及
其中,所述至少一个第一B导电层第一接片至少延伸至所述上侧表面,所述下侧表面和所述右侧表面的一部分。
2.根据权利要求1所述的结构,其中,所述第一A导电层主体部分延伸至一区域,该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧表面的距离,且该区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离,并且,所述第一B导电层主体部分延伸至另一区域,该区域与所述左侧表面的距离小于与所述右侧表面的距离,且该区域与所述下侧表面的距离小于所述上侧表面的距离。
3.根据权利要求1所述的结构,其中,所述至少一个第一A导电层第一接片包括一单个接片延伸并横穿所述左侧的全部,延伸至所述上侧表面的左侧末端,以及延伸至所述下侧表面的左侧末端。
4.根据权利要求1所述的结构,其中,所述至少一个第一A导电层第一接片包括至少两个接片。
5.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括第一G导电层。
6.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括位于所述第一A导电层和第一B导电层之间的第一G导电层。
7.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括在与所述第一平面平行的第二平面中的第一G导电层,所述G导电层具有G导电层主体部分,所述G导电层主体部分具有至少与所述第一A导电层A主体部分的一部分和所述第一B导电层主体部分的一部分相对的区域。
8.根据权利要求1所述的结构:
其中,所述导电材料包括位于第二平面中的第二A导电层和位于所述第二平面中的第二B导电层;
其中,所述第二A导电层和所述第二B导电层在所述结构中彼此电绝缘;
其中,所述第二A导电层包括至少一个第二A导电层第一接片和第二A导电层主体部分;
其中,所述第二B导电层包括至少一个第二B导电层第一接片和第二B导电层主体部分;
其中,所述第二A导电层主体部分不延伸至所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个;
其中,所述第二B导电层主体部分不延伸至所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个;
其中,所述至少一个第二A导电层第一接片至少延伸至所述左侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面的一部分;
其中,所述至少一个第二B导电层第一接片至少延伸至所述右侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面的一部分;
其中,所述第二A导电层主体部分延伸至一区域,该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧表面的距离,且该区域与所述下侧表面的距离小于所述上侧表面的距离,并且,所述第二B导电层主体部分延伸至另一区域,该区域与所述左侧表面的距离小于与所述右侧表面的距离,且该区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离;
其中,所述第一A导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分有基本重叠的第一区域,且所述第二A导电层主体部分与所述第一B导电层主体部分有基本重叠的第二区域。
9.根据权利要求8所述的结构,其中,所述导电材料还包括第一G导电层,且其中,所述第一G导电层包括一与所述第一区域和第二区域都基本重叠的主体部分。
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