[发明专利]内部重叠的调节装置无效

专利信息
申请号: 200680007006.5 申请日: 2006-02-27
公开(公告)号: CN101536282A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: W·安东尼;D·安东尼;A·安东尼 申请(专利权)人: X2Y衰减器有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 王 勇
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 内部 重叠 调节 装置
【权利要求书】:

1.一种能量调节装置的内部结构:

其中,所述内部结构具有一左侧表面,一右侧表面,一上侧表面,一下侧表面,一顶端表面和一底部表面;

其中,所述内部结构包括介电材料和导电材料;

其中,所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定了所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面,所述下侧表面,所述顶端表面,和所述底部表面;

其中,所述导电材料包括位于第一平面内的第一A导电层和第一B导电层;

其中,所述第一A导电层和第一B导电层在所述结构中彼此电绝缘;

其中,所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分;

其中,所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分;

其中,所述第一A导电层主体部分不延伸至所述左侧,右侧,上侧,和下侧中的任一个;

其中,所述第一B导电层主体部分不延伸至所述左侧,右侧,上侧,和下侧的任一个;

其中,所述至少一个第一A导电层第一接片延伸至所述左侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面;以及

其中,所述至少一个第一B导电层第一接片至少延伸至所述上侧表面,所述下侧表面和所述右侧表面的一部分。

2.根据权利要求1所述的结构,其中,所述第一A导电层主体部分延伸至一区域,该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧表面的距离,且该区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离,并且,所述第一B导电层主体部分延伸至另一区域,该区域与所述左侧表面的距离小于与所述右侧表面的距离,且该区域与所述下侧表面的距离小于所述上侧表面的距离。

3.根据权利要求1所述的结构,其中,所述至少一个第一A导电层第一接片包括一单个接片延伸并横穿所述左侧的全部,延伸至所述上侧表面的左侧末端,以及延伸至所述下侧表面的左侧末端。

4.根据权利要求1所述的结构,其中,所述至少一个第一A导电层第一接片包括至少两个接片。

5.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括第一G导电层。

6.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括位于所述第一A导电层和第一B导电层之间的第一G导电层。

7.根据权利要求1所述的结构,其中,所述导电材料还包括在与所述第一平面平行的第二平面中的第一G导电层,所述G导电层具有G导电层主体部分,所述G导电层主体部分具有至少与所述第一A导电层A主体部分的一部分和所述第一B导电层主体部分的一部分相对的区域。

8.根据权利要求1所述的结构:

其中,所述导电材料包括位于第二平面中的第二A导电层和位于所述第二平面中的第二B导电层;

其中,所述第二A导电层和所述第二B导电层在所述结构中彼此电绝缘;

其中,所述第二A导电层包括至少一个第二A导电层第一接片和第二A导电层主体部分;

其中,所述第二B导电层包括至少一个第二B导电层第一接片和第二B导电层主体部分;

其中,所述第二A导电层主体部分不延伸至所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个;

其中,所述第二B导电层主体部分不延伸至所述左侧表面,所述右侧表面,所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个;

其中,所述至少一个第二A导电层第一接片至少延伸至所述左侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面的一部分;

其中,所述至少一个第二B导电层第一接片至少延伸至所述右侧表面,所述上侧表面,和所述下侧表面的一部分;

其中,所述第二A导电层主体部分延伸至一区域,该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧表面的距离,且该区域与所述下侧表面的距离小于所述上侧表面的距离,并且,所述第二B导电层主体部分延伸至另一区域,该区域与所述左侧表面的距离小于与所述右侧表面的距离,且该区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离;

其中,所述第一A导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分有基本重叠的第一区域,且所述第二A导电层主体部分与所述第一B导电层主体部分有基本重叠的第二区域。

9.根据权利要求8所述的结构,其中,所述导电材料还包括第一G导电层,且其中,所述第一G导电层包括一与所述第一区域和第二区域都基本重叠的主体部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于X2Y衰减器有限公司,未经X2Y衰减器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680007006.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top