[发明专利]沟槽型MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET，在将第一导电型的高掺杂漏极区、第一导电型的低掺杂漏极区、第二导电型的沟道体区和第一导电型的源极区依次邻接而形成的半导体基板上形成有沟槽部，该沟槽部从上述半导体基板的源极区侧的表面开始延伸并且其底部到达上述低掺杂漏极区，在该沟槽部的底面及侧壁面设置有绝缘层，在该沟槽部的内部设置有栅电极，其特征在于：

上述绝缘层在上述沟槽的侧壁面上的上述低掺杂漏极区和上述栅极电极之间具有电场缓和部，该电场缓和部的厚度大于上述栅电极和上述沟道体区之间的上述绝缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于：

上述半导体基板是硅。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOSFET，其特征在于：

上述电场缓和部的厚度为设置在上述栅电极和上述沟道体区之间的上述绝缘层的厚度的1.2倍以上3倍以下。

4.根据权利要求1、2或3所述的沟槽型MOSFET，其特征在于：

在上述沟槽部的底面形成的上述绝缘层的厚度等于上述电场缓和部的厚度。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的沟槽型MOSFET，其特征在于：

上述电场缓和部仅形成于上述低掺杂漏极区和上述栅电极之间，在上述栅电极和上述沟道体区之间未形成上述电场缓和部。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的沟槽型MOSFET，其特征在于：

上述绝缘层的厚度从上述栅电极和上述沟道体区之间的厚度Tox向上述电场缓和部的厚度Tsox连续变化，并满足

0.6＜(Tsox-Tox)/Δy＜1.2

的关系，其中，Δy是绝缘层的厚度从Tox向Tsox过渡的区域的长度。

7.一种沟槽型MOSFET的制造方法，该沟槽型MOSFET为权利要求1至6中的任一项所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，该制造方法包括：

形成SiO₂层/SiN层，使得SiO₂层接触沟槽的侧壁面及底面的步骤；

通过蚀刻除去形成在沟槽的底面的SiO₂层/SiN层的步骤；

蚀刻已去除上述SiO₂层/SiN层的沟槽底面的半导体基板的步骤；以及

将上述SiO₂层/SiN层作为半导体基板的防氧化掩模，对上述经蚀刻而露出的半导体基板进行热氧化的步骤。

8.根据权利要求7所述的沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于：

上述SiO₂层/SiN层的SiO₂层的厚度为上述电场缓和部的厚度的0.2倍以上0.6倍以下，SiN层的厚度为上述电场缓和部的厚度的0.2倍以上1倍以下。