[发明专利]半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 200680008440.5 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101142659A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;金喜则 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 研磨剂 研磨 方法 制造 | ||
1.研磨剂，它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，被研磨面包含多晶硅膜的被研磨面，该研磨剂含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水，该研磨剂的pH在10～13的范围内。
2.如权利要求1所述的研磨剂，其特征在于，前述半导体集成电路装置在前述多晶硅膜的正下方具有二氧化硅膜或氮化硅膜。
3.如权利要求1所述的研磨剂，其特征在于，前述半导体集成电路装置在前述多晶硅膜的正下方具有二氧化硅膜，而且在该二氧化硅膜的正下方具有氮化硅膜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述水溶性多胺为选自水溶性聚醚多胺和水溶性聚亚烷基多胺的1种以上的聚合物。
5.如权利要求1～4中任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述研磨剂含有选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化四甲铵、单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺、丙二胺和氨的1种以上的碱性化合物。
6.如权利要求5所述的研磨剂，其特征在于，前述碱性化合物在前述研磨剂中的含量在0.001～5.0质量％的范围内。
7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述水溶性多胺的重均分子量在100～10万的范围内。
8.如权利要求1～7中任一项所述的研磨剂，其特征在于，相对于前述研磨剂的总质量，前述水溶性多胺的含量在0.001～20质量％的范围内。
9.研磨方法，它是将研磨剂供于研磨垫，使半导体集成电路装置的被研磨面和研磨垫接触，通过两者间的相对运动进行研磨的被研磨面的研磨方法，其特征在于，该被研磨面包含多晶硅膜的被研磨面，作为研磨剂使用权利要求1～8中任一项所述的研磨剂。
10.半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，具有通过权利要求9所述的研磨方法研磨被研磨面的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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