[发明专利]形成多个电容器的方法有效
申请号: | 200680008606.3 | 申请日: | 2006-02-27 |
公开(公告)号: | CN101142657A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 古尔特杰·S·桑胡;马克·D·杜尔詹 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/92;H01L27/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 电容器 方法 | ||
1.一种形成多个电容器的方法,其包括:
在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极,所述电容器电极包括外部横向侧壁;
至少部分用与所述外部横向侧壁啮合的保持结构支撑所述多个电容器电极,所述保持结构至少部分通过以下方式形成:对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层进行蚀刻以形成所述保持结构;以及
将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻在所述多个电容器电极形成之前发生。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻在所述多个电容器电极形成之后发生。
4.根据权利要求1所述的方法,其包括在所述电容器阵列区域周边的电路区域,所述材料层在所述蚀刻期间延伸到所述周边区域上,并在所述蚀刻期间在所述周边区域中至少部分被掩盖。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料层在所述蚀刻期间未在所述衬底上的任何位置被掩盖。
6.根据权利要求1所述的方法,其中各个所述电容器电极包括容器形状。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述保持结构保持为并入有所述多个电容器的完成的集成电路构造的一部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料是电绝缘的。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料是导电的。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料是半导电的。
11.一种形成多个电容器的方法,其包括:
在衬底上提供多个电容器电极,所述电容器电极包括外部横向侧壁;
至少部分用与所述外部横向侧壁啮合的保持结构支撑所述多个电容器电极,所述保持结构至少部分通过以下方式形成:对所述衬底上任何位置处未进行掩盖的材料层进行蚀刻以形成所述保持结构;以及
将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
12.根据权利要求11所述的方法,其中各个所述电容器电极包括容器形状。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述保持结构保持为并入有所述多个电容器的完成的集成电路构造的一部分。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述材料是电绝缘的。
15.根据权利要求11所述的方法,其中所述材料是导电的。
16.根据权利要求11所述的方法,其中所述材料是半导电的。
17.根据权利要求11所述的方法,其中所述蚀刻在所述多个电容器电极形成之前发生。
18.根据权利要求11所述的方法,其中所述蚀刻在所述多个电容器电极形成之后发生。
19.一种形成多个电容器的方法,其包括:
在电容器电极形成材料上形成具有不同组分的第一、第二和第三材料;在所述电容器电极形成材料上的某一共同高度处至少部分接纳所述第一、第二和第三材料;
所述第二材料包括经各向异性蚀刻的保持结构;
大体上选择性地相对于所述第二和第三材料蚀刻所述第一材料,随后大体上选择性地相对于所述第二和第三材料蚀刻所述电容器电极形成材料,以有效地形成多个电容器电极开口;
在各个所述电容器电极开口内形成各个电容器电极;
大体上选择性地相对于所述第二材料且大体上选择性地相对于所述电容器电极蚀刻所述第三材料,以有效地暴露正被蚀刻的所述第三材料下方的电容器电极形成材料,随后大体上选择性地相对于所述第二材料且大体上选择性地相对于所述电容器电极蚀刻所述电容器电极形成材料,以有效性暴露所述电容器电极的外部横向侧壁,且留下支撑所述电容器电极的至少一些所述保持结构;以及
将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述第一材料的组分不同于所述电容器电极形成材料的组分。
21.根据权利要求19所述的方法,其中所述第一材料的组分与所述电容器电极形成材料的组分相同。
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