[发明专利]形成多个电容器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及形成多个电容器的方法。

背景技术

电容器是在制造集成电路的过程中(例如在DRAM电路中)常用的一种类型的组件。典型的电容器包含由不导电的介电区域隔开的两个导电电极。随着集成电路密度增大，存在着在典型的减小的电容器区域中仍需维持足够高的存储电容的持续挑战。集成电路的密度的增加通常导致电容器的水平尺寸与垂直尺寸相比有较大减小。在许多实例中，电容器的垂直尺寸增加。

形成电容器的一种方式是初始形成绝缘材料，电容器存储节点电极形成在所述绝缘材料内。举例来说，通常在此种绝缘电容器电极形成材料中制造各个电容器的电容器电极开口阵列，其中典型的绝缘电极形成材料是用磷或硼中的一者或两者掺杂的二氧化硅。电容器电极开口通常通过蚀刻形成。然而，可难以在绝缘材料内蚀刻电容器电极开口，尤其在开口较深的情况下。

进一步且无论如何，通常需要在已经在开口内形成各个电容器电极之后蚀刻掉大部分(如果不是全部的话)电容器电极形成材料。这使得电极的外部侧壁表面能够为正在形成的电容器提供增加的面积且因此提供增加的电容。然而，在较深开口中形成的电容器电极通常相应地远远高于其宽度。这可导致电容器电极在用蚀刻来暴露外部侧壁表面期间、运送衬底期间和/或沉积电容器介电层或外部电容器电极层期间倒塌。我们的第6,667,502号美国专利教示了提供旨在减轻此种倒塌的支架或保持结构。

虽然本发明的动机在于解决以上指出的问题，但其绝不局限于此。本发明只按照字面措辞且根据均等物原则受到随附权利要求书的限制，且不对说明书进行解释性的或其它限制性的参考。

发明内容

本发明包含形成多个电容器的方法。在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在衬底上的电容器区域内提供多个电容器电极。电容器电极包括外部横向侧壁。所述多个电容器电极至少部分由保持结构支撑，所述保持结构与外部横向侧壁啮合。所述保持结构至少部分通过以下方式形成：对未在所述电容器阵列区域内的任何位置进行掩盖的材料层进行蚀刻以形成所述保持结构。将所述多个电容器电极并入多个电容器中。

在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在电容器电极形成材料上形成不同组分的第一、第二和第三材料。在电容器电极形成材料上的某一共同高度处至少部分接纳所述第一、第二和第三材料。第二材料包括各向异性蚀刻的保持结构。大体上选择性地相对于第二和第三材料来蚀刻第一材料，接下来大体上选择性地相对于第二和第三材料蚀刻电容器电极形成材料，以有效地形成多个电容器电极开口。在各个电容器电极开口内形成各个电容器电极。大体上选择性地相对于第二材料且大体上选择性地相对于电容器电极蚀刻第三材料，以有效地暴露所述正被蚀刻的第三材料下方的电容器电极形成材料。在此之后，大体上选择性地相对于第二材料且大体上选择性地相对于电容器电极蚀刻电容器电极形成材料，以有效地暴露电容器电极的外部横向侧壁并至少留下支撑电容器电极的一部分保持结构。将多个电容器电极并入到多个电容器中。

还涵盖其它方面和实施方案。

附图说明

下文参看以下附图描述本发明的优选实施例。

下文参看以下附图描述本发明的优选实施例。

图1是根据本发明的一方面的正在处理的半导体晶片片段的片断图解部分。

图2是图1所描绘的半导体晶片片段的替代实施例。

图3是图1的左部在图1的步骤之后的处理步骤中的俯视图。

图4是图3的视图，图4的左部是穿过图3中的线4-4截取的。

图5是图3的衬底的视图，图5的左部是穿过图3中的线5-5截取的。

图6是图4的衬底在图4所示的步骤之后的处理步骤中的视图。

图7是图5的衬底在图5所示的步骤之后且在顺序上对应于图6的步骤的处理步骤中的视图。

图8是图3的衬底在图3的步骤之后且在图6和7的步骤之后的处理步骤中的俯视图。

图9是图7的衬底在图7所示的步骤之后且在顺序上对应于图8的步骤的处理步骤中的视图，其中图9的左部是穿过图8中的线9-9截取的。

图10是图6的衬底在图6所示的步骤之后且在顺序上对应于图8的步骤的处理步骤中的视图，其中图10的左部是穿过图8中的线10-10截取的。

图11是图8的衬底在图8的步骤之后的处理步骤中的俯视图。

图12是图9的衬底在图9所示的步骤之后且在顺序上对应于图11的步骤的处理步骤中的视图，其中图12的左部是穿过图11中的线12-12截取的。