[发明专利]半导体器件、其制造方法、及其测量方法有效

专利信息
申请号: 200680010414.6 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN101151544A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 鹤目卓也;浅野悦子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 及其 测量方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的测量方法,其中用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的测试元件的元件层密封,该测量方法包括以下步骤:

去除所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔;

用含导电材料的树脂填充所述接触孔;

在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后,实施加热,使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含有导电材料的所述树脂电连接起来;以及

通过使用所述布线基片测量所述测试元件的电特性。

2.一种半导体器件的测量方法,其中用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的测试元件的元件层密封,该测量方法包括以下步骤:

去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分;

通过使用各向异性导电薄膜将所暴露的终端部分和具有柔性的布线基片电连接起来;以及

通过使用所述布线基片测量所述测试元件的电特性。

3.一种半导体器件的测量方法,其中用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的元件的元件层密封,包括以下步骤:

去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分;

将所暴露的终端部分和布线电连接起来;以及

通过使用所述布线测量所述元件的电特性。

4.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:

在基片上形成剥离层;

在所述剥离层上形成提供有包含终端部分的测试元件的元件层;

选择性地去除所述剥离层和所述元件层以形成开口部分;

使所述元件层与所述基片分离;

用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述元件层;

去除所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔;

用含有导电材料的树脂填充所述接触孔;以及

在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后,实施加热,使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含导电材料的所述树脂电连接起来。

5.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:

在基片上形成剥离层;

在所述剥离层上形成提供有包含终端部分的测试元件的元件层;

选择性地去除所述剥离层和所述元件层以形成开口部分;

使所述元件层与所述基片分离;

用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述元件层;

去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分;以及

通过使用各向异性导电膜对所暴露的终端部分和具有柔性的所述布线基片进行电连接。

6.根据权利要求4和5中的任何一项的制造方法,其中通过激光照射去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜。

7.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:

在基片上形成基膜;

在所述基膜上形成剥离层;

在所述剥离层上形成防污染薄膜;

在所述防污染薄膜上形成提供有包含薄膜晶体管和终端部分的测试元件的元件层;

在所述元件层上形成用于保证元件层强度的层;

选择性地去除所述剥离层、所述防污染薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层,并形成开口部分;

将所述防污染薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层与所述基片分离;

用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述防污染薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层;

去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜和用于保证元件层强度的所述层,以形成触及所述终端部分的接触孔;

用含导电材料的树脂填充所述接触孔;以及

在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后,实施加热,使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含有导电材料的树脂电连接起来。

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