[发明专利]分裂栅极多位存储单元

权利要求书

1.一种存储单元(200)，包括：

源极(204)和漏极(206)，扩散至衬底(202)中，该源极(204)和该漏极(206)之间具有沟道区域(208)，该沟道区域(208)的中点位于距该源极(204)和该漏极(206)相等距离处；

第一电荷储存层(214)和第二电荷储存层(216)，形成在该衬底(202)上该沟道区域(208)之上；

栅极(218)，形成在该源极(204)、该漏极(206)、该第一电荷储存层(214)和该第二电荷储存层(216)之上；

控制栅极(220)，形成在该沟道区域(208)的该中点之上，用以控制该沟道区域的中间部份，该控制栅极(220)位于该第一电荷储存层(214)和该第二电荷储存层之间距二者相等距离处，并位于该栅极(218)的下方；以及

电介质材料(210、212、224、226、228)，将该源极(204)与该栅极(218)分离，将该漏极(206)与该栅极(218)分离，及将该控制栅极(220)与该第一电荷储存层(214)、该第二电荷储存层(216)和该栅极(218)分离。

2.如权利要求1所述的存储单元(200)，还包括控制栅极底部电介质层(222)，形成在该控制栅极(220)与该衬底(202)之间。

3.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该第一电荷储存层(214)为由氧化物的底部电介质层(230)、中间氮化物电荷俘获层(232)和氧化物的顶部电介质层(234)所组成的ONO层，其具有长度为150埃至300埃之间的氮化物电荷俘获层。

4.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该第二电荷储存层(216)为由氧化物的底部电介质层(240)、中间氮化物电荷俘获层(242)和氧化物的顶部电介质层(244)所组成的ONO层，其具有长度为150埃至300埃之间的氮化物电荷俘获层。

5.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该控制栅极(220)是由多晶硅组成。

6.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该控制栅极(220)具有大于250埃的控制栅极宽度，并具有在300埃至500埃之间的控制栅极厚度。

7.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该电介质材料(210、212、224、226、228)是由氧化物、氮化物或ONO材料组成的电介质材料组的其中一种材料所组成。

8.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中，分隔该控制栅极(220)与该第一电荷储存层(214)的该电介质材料(224)具有在70埃至150埃之间的隔离电介质厚度。

9.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中，分隔该控制栅极(220)与该第二电荷储存层(216)的该电介质材料(226)具有在70埃至150埃之间的隔离电介质厚度。

10.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中该栅极(218)是由多晶硅组成。

11.如权利要求1所述的存储单元(200)，其中，通过源极侧注入该第一电荷储存层(214)或该第二电荷储存层(216)的其中之一的编程，而将信息储存于该存储单元(200)中。

12.如权利要求2所述的存储单元(200)，其中该控制栅极底部电介质层(222)是由氧化物组成，并具有在50埃至70埃之间的控制栅极氧化物厚度。