[发明专利]制造半导体瓷组合物的方法有效
| 申请号： | 200680011048.6 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101160270A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;寺尾公一;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01L37/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨本良;文琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 组合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造具有组成式[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3的半导体瓷组合物的方法，其中R是La、Dy、Eu、Gd和Y中的至少一种元素，并且x和y各自满足0＜x≤0.14和0.002＜y≤0.02，
所述方法包括在氧气浓度等于或小于1％的惰性气氛中进行烧结。
2.根据权利要求1的制造半导体瓷组合物的方法，其中所述的氧气浓度等于或小于10ppm。
3.根据权利要求1的制造半导体瓷组合物的方法，其中所述的组合物包含3.0mo1％或更少的Si的氧化物和4.0mo1％或更少的Ca的氧化物。
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