[发明专利]用于厚电介质电致发光显示器的含有氧化镁的阻挡层

权利要求书

1.一种用于厚电介质膜电致发光装置的荧光体层压制品，所述层压制品包括：

-稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；

-氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接邻近所述荧光体薄膜层的底部并与该底部接触；以及

-厚膜电介质层，邻近所述氧化镁层或含有氧化镁的层。

2.如权利要求1所述的层压制品，其中，所述荧光体薄膜层由表达式AB_xC_1+3x/2：RE表示，其中：

A是Mg、Ca、Sr或Ba中的至少一种；

B是Al或In中的至少一种；

C是S或Se中的至少一种；且

2≤x≤4。

3.如权利要求2所述的层压制品，其中，RE是一种或多种从包括Eu或Ce的组中选择的稀土激活剂。

4.如权利要求2或3所述的层压制品，其中，所述荧光体是铝与钡的比例为约2.0到约4.0的硫代铝酸钡。

5.如权利要求2、3或4所述的层压制品，其中，所述铝与钡的比例是约2.0到约2.2。

6.如权利要求4所述的层压制品，其中，所述铝与钡的比例是约3.0到约4.0。

7.如权利要求3所述的层压制品，其中，所述荧光体是镁的原子浓度与钡加镁之和的原子浓度的比例约为0.001到0.2的硫代铝酸镁钡。

8.如权利要求3所述的层压制品，其中，所述荧光体还包括氧，氧的相对原子浓度为小于S和Se的浓度之和的0.2。

9.如权利要求1所述的层压制品，其中，所述氧化镁层或含有氧化镁的层的厚度为约20nm到约50nm。

10.如权利要求1至9之任一所述的层压制品，其中，所述氧化镁层或含有氧化镁的层贴附于所述荧光体薄膜结构。

11.如权利要求1至10之任一所述的层压制品，其中，所述氧化镁层或含有氧化镁的层通过真空沉积工艺沉积。

12.如权利要求11所述的层压制品，其中，所述真空沉积工艺是溅射。

13.如权利要求12所述的层压制品，其中，在溅射中使用氧化镁靶。

14.如权利要求12所述的层压制品，其中，溅射在低压含氧气体环境中进行。

15.如权利要求12所述的层压制品，其中，溅射在低压氩气环境中进行。

16.如权利要求1至15之任一所述的层压制品，其中，所述厚膜电介质层包括铌镁酸铅(PMN)或钛铌镁酸铅(PMN-PT)构成的底层，和作为平滑层的锆钛酸铅(PZT)构成的顶层。

17.如权利要求16所述的层压制品，其中，钛酸钡层布置于所述平滑层的上面。

18.如权利要求17所述的层压制品，其中，另一氧化铝和钽酸钡的层布置于所述钛酸钡层上，所述钽酸钡直接与所述氧化镁层或含有氧化镁的层相邻。

19.如权利要求17所述的层压制品，其中，所述钛酸钡层的厚度为约70nm到约200nm。

20.如权利要求18所述的层压制品，其中，所述钽酸钡层的厚度为约30nm到约70nm。

21.如权利要求1至20之任一所述的层压制品，其中，从包括氧化铝、氮化铝和氮化硅的组中选择的层布置为同不与所述荧光体层接触的氧化镁层或含有氧化镁的层的表面相接触。

22.如权利要求1至21之任一所述的层压制品，其中，第二氧化镁层或含有氧化镁的层被布置在所述荧光体膜上。

23.一种用于厚电介质膜电致发光装置的荧光体层压制品，所述层压制品包括：

-稀土激活的硫代铝酸钡荧光体薄膜层；

-氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接邻近所述荧光体薄膜层的底部并与该底部接触；以及

-厚膜电介质层，邻近所述的氧化镁层或含有氧化镁的层。