[发明专利]用于厚电介质电致发光显示器的含有氧化镁的阻挡层

说明书

技术领域

本发明涉及提高用于采用厚膜高电介质常数电介质层的全彩色交流(ac)电致发光显示器的荧光体的亮度和运行稳定性。更具体地，本发明提供含有氧化镁的层与荧光体层接触来防止荧光体的劣化。

背景技术

与薄膜电致发光(TFEL)显示器相比(如美国专利5,432,015所示例)，厚膜电介质结构提供很强的抗电介质击穿能力，以及降低了的运行电压。厚膜电介质结构还能增加注入荧光体膜的电荷量，来提供比TFEL显示器更高的亮度。全彩色厚电介质电致发光显示器在申请人的共同未决国际专利申请WO 2004/036961中描述。这些显示器使用高亮度蓝光荧光材料来直接照亮蓝色亚像素和色彩转换材料来将蓝光下变频成红色或绿色光，得到红色和绿色亚像素。厚膜电介质电致发光显示器中使用的优选蓝光荧光材料是铕激发的硫代铝酸钡。

厚膜电致发光显示器可完全达到基于阴极射线管(CRT)的显示器的亮度和色谱能力。然而，其运行稳定性与CRT相比仍显不足。

氧化镁层已在有机电致发光显示器中使用，来防止有机电致发光显示器受到周围潮气，氧化镁层已在如美国专利4,429,303，4,547,702，4,849,674，5,319,282，5,466,990，5,190,333，6,087,766，6,023,258，6,111,353，6,207,302，6,147,456，6,414,442和美国专利申请2003/0073042和2004/0159903中描述的显示器的薄膜结构中使用，但还没有用在无机电致发光显示器中来在无机荧光体膜和邻近的电介质层之间提供化学隔绝的报导，尤其是化学复杂的厚膜电介质层，其具有在显示器制造和随后的显示器运行过程中与临近的荧光体层反应的趋势。

氧化铝层已被用来提供厚介质层和荧光体层之间的化学隔绝方法，然而，当荧光体是通过溅射而不是蒸发来沉积时，其作用减弱。荧光体的溅射工艺可使下部薄电介质层受到高能离子的轰击，可能造成薄电介质层的劣化。氧化镁已被用于覆盖彩色等离子体显示器中的荧光粉，来将荧光材料与发射紫外线的像素等离子体的恶劣环境隔开。

仍需要为厚膜电介质电致发光显示器提供改进，将进一步提高此处提供的荧光体的亮度，并以最小劣化而延长其运行寿命。

发明内容

本发明为掺有稀土激活剂的碱土硫代铝酸盐薄膜荧光体提供延长了的运行寿命。此延长的运行寿命通过布置氧化镁或含有氧化镁的阻挡层直接与荧光体的底部相接触而获得。氧化镁或含有氧化镁的阻挡层由此位于显示器的厚电介质结构和荧光体层之间，使其与荧光体层接触。在本发明的其它情况中，可布置第二个氧化镁或含有氧化镁的阻挡层，使其直接与电致发光显示器中使用的上电极附近的荧光体的顶部相邻。

本发明的氧化镁层或含有氧化镁的层用作对可造成荧光材料的亮度降低的化学物质的阻挡物。

在本发明的各情况中，氧化镁层或含有氧化镁的层可包括附加元素，从钡、铝及其混合物中选择，但不仅限于此。

根据本发明的一种情况，提供厚电介质膜电致发光装置的改进了的荧光体结构，所述结构包括：

稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；

氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体薄膜层的底部相邻。

根据本发明的一种情况，提供厚电介质膜电致发光装置的改进了的荧光体结构，所述结构包括：

稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；

氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体薄膜层的底部相邻。

根据本发明的另一情况，是一种用于厚膜电介质电致发光显示器的荧光体层压制品，所述层压制品包括：

(a)稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；

(b)氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与底部相邻，与所述荧光体薄膜层接触；以及

(c)厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层的底部表面相邻。

根据本发明的另一情况，是一种用于厚膜电介质电致发光显示器的荧光体层压制品，所述层压制品包括：

(a)稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；

(b)氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与底部相邻，与所述荧光体薄膜层接触；以及

(c)厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层的底部表面相邻。