[发明专利]从半导体器件的金属部分清除或减少泛溢树脂的设备无效
申请号: | 200680013117.7 | 申请日: | 2006-02-17 |
公开(公告)号: | CN101164137A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | A·维加;C·考奇 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;王小衡 |
地址: | 意大利*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 金属 部分 清除 减少 树脂 设备 | ||
1.一种用于从半导体器件的金属部分的顶部清除或减少泛溢树脂的设备,包括主储器(1)和喷嘴(11-12),用于将其中悬浮有研磨材料的溶液(5)喷在放入所述主储器(1)中的半导体器件(2)上,其特征在于还包括:放置在所述主储器(1)底部的压力传感器(6);与所述主储器(1)相关联的液位传感器(7);和控制单元(8),用于根据所述传感器(6,7)产生的压力和液位将所述溶液输送到所述喷嘴(11-12)。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括用于所述溶液的辅助储器(4)和泵(9)。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括用于累积在所述主储器(1)底部的所述溶液(5)的再循环回路(13)。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述再循环回路(13)包括至少一个泵(10)。
5.如权利要求3述的设备,其特征在于,所述再循环回路(13)包括过滤器(14)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680013117.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造