[发明专利]从半导体器件的金属部分清除或减少泛溢树脂的设备

说明书

技术领域

本发明涉及用于从半导体器件的金属部分清除或减少泛溢树脂(resin flush)的设备。

背景技术

某些半导体器件具有由塑性树脂部分和金属部分构成的外表面。金属部分的主要目的是形成热导体，尤其是在功率器件中。

在这些器件的制造过程中，除所提到的热导体以外，还用树脂封装金属框架。

由于模压阶段的缺陷，有些泛溢树脂会无意中覆盖一部分金属导热部分，因而大大增加了其热阻。热阻的增大又负面地影响了器件的寿命。

为了清除或减少金属部分顶部上的泛溢树脂，使用专门设计的设备。

去溢(deflushing)设备使用悬浮在水中的研磨材料。这种混合物在压力下″轰击″半导体器件，从金属部分清除任何塑性泛溢树脂。在去溢过程期间，不仅泛溢树脂打碎了，而且研磨材料也打碎了。因此，过滤混合物以便清除非常小的研磨材料颗粒，因为它们的研磨性能实际上已丢去了。这意味着悬浮在水中的研磨材料的量改变，因而必须对其进行监控以便将其保持在工艺极限范围内。

目前，为了监控悬浮在水中的研磨材料的量，将单位体积的混合物收集在量筒中。让悬浮材料沉淀下来。此刻，可以读出每单位体积的研磨材料的值。

如果该值不符合要求，则将研磨材料加入混合物中。

这种测量方法具各种各样的缺点，例如：

1.若水中的悬浮材料的量不均匀，则结果将是不正确的。

2.获得的结果既不是瞬间的也不是连续的。

发明内容

鉴于这里描述的先有技术，本发明的目的是要提供一种没有上述缺点的、用于从半导体器件的金属部分的顶部清除或减少泛溢树脂的设备。

按照本发明，通过一种用于从半导体器件的金属部分的顶部清除或减少泛溢树脂的设备来达到所述目的，设备包括主储器和喷嘴，用于将其中悬浮有的研磨材料的溶液喷在放入主储器中的半导体器件上，其特征在于它还包括：放置在所述主储器底部的压力传感器；与所述主储器相关联的液位传感器；和用于根据所述传感器产生的压力和液位向所述喷嘴输送所述溶液的控制单元。

所述设备允许快速、恒定和正确地测量主储器底部溶液中研磨材料的密度。这样，喷在半导体器件上的溶液具有所述研磨材料的恒定密度。

附图说明

通过对本发明的实施例的以下的详细描述，将明白本发明的特征和优点，附图中以非限制性实例的形式图解说明实施例，附图中：

图1示出按照本发明的设备的示意表示。

具体实施方式

图1中所示的设备包括容纳由臂3支撑的半导体器件2的主储器1和充有溶液5的辅助储器4。

所述设备还包括：泄放阀30；放置在主储器1底部的压力传感器6；和液位传感器7，压力传感器6和液位传感器7的测量由控制单元8处理。

所述控制单元8控制泵9和泵10，泵9是溶液循环回路20的一部分，而泵10包括在具有过滤器14的溶液再循环回路13中。

溶液循环回路20的喷嘴11和溶液再循环回路13的喷嘴12被固定在主储器1内。

工作时，具有待清除或减少的泛溢树脂的半导体器件2被放入图1的位置。

控制单元8控制泵10的启动，泵10使累积在储器1底部的起初具有正确研磨剂密度值的溶液5通过过滤器14再循环。

喷嘴12在压力下将溶液5喷在半导体器件2上，从其金属部分清除树脂。

在此工作期间，研磨材料颗粒减小了它们的尺寸，于是过滤器14将它们从要进行再循环的溶液5中清除。这意味着，悬浮在溶液中的研磨材料的量减少了，于是设备的效率提高了。

压力传感器6测量由控制单元8处理的不同值。

已知：

-密度＝压力/(重力×高度)

-重力＝常数

-通过液位传感器7来测量高度。

如果新密度小于标称密度，则控制单元8停止泵10的工作并启动泵9，泵9将具有正确密度的溶液5从辅助储器4吸取到主储器1。

喷嘴11在压力下将溶液5喷在半导体器件2上。

当传感器6、7测量到对应于正确密度的值时，控制单元8停止泵9的工作而重新启动泵10。

在去溢过程结束时，用具有正确密度的新溶液代替在储器1底部的溶液5(利用泄放阀30)，并将另外的溶液5加到储器4中。

借助于这种设备，去溢过程总是有效的，而不浪费时间。