[发明专利]清洗介电薄膜的设备及方法

权利要求书

1.一种用于清洗一介电薄膜的设备，包括：

一腔室主体，适以将一基材支撑于所述腔室主体内；

一远端等离子体源，适以提供多个反应性自由基至所述腔室主体；

一通道，是将所述远端等离子体源耦接至所述腔室主体，其中所述通 道是至少部分具有一石英衬垫，用以过滤或者降低所述多个反应性自由基 的再结合；以及

至少一磁铁，设置于邻近所述通道处。

2.如权利要求1所述的设备，其更包括：

二或多个磁铁，设置于邻近所述通道处。

3.如权利要求2所述的设备，其中该些磁铁设置于所述通道的一外围 的相对侧。

4.如权利要求2所述的设备，其中设置于邻近所述通道的该些磁铁提 供一横跨所述通道的磁场。

5.如权利要求4所述的设备，其中可通过改变该些磁铁之间的距离而 调整所述磁场。

6.如权利要求3所述的设备，其中该些相对设置的磁铁的间隔距离为 0～10厘米。

7.如权利要求1所述的设备，其中至少一部分的所述通道是由石英管 界定出。

8.如权利要求1所述的设备，其更包括：

一气体分配板，是设置于所述腔室主体内，并位于一入口下方，所述 入口连接所述腔室主体至所述远端等离子体源；以及

一石英表面，暴露于所述入口与所述气体分配板之间所界定出的一充 气部。

9.如权利要求1所述的设备，其更包括：

一加热器，设置于所述腔室主体内，所述加热器适以提供热给所述基 材。

10.一种清洗一介电层的方法，包括：

提供一基材，所述基材设置于一处理室内，并具有一至少部分暴露的 介电层；

于一远端等离子体源内产生多个反应性自由基；

将该些反应性自由基由所述远端等离子体源经过一通道流入所述处理 室，所述通道具有至少一磁铁设置于邻近所述通道处；

将该些反应性自由基暴露于位于所述远端等离子体源下游的一石英表 面；以及

以磁性过滤通过所述通道的该些反应性自由基。

11.如权利要求10所述的方法，其更包括：

通过设置于邻近所述通道的所述磁铁来调整一磁场。

12.如权利要求10所述的方法，其更包括：

中和位于所述通道中的多个带电粒子。

13.如权利要求12所述的方法，其更包括：

吸引该些带电粒子与所述通道的多个壁面接触。

14.如权利要求10所述的方法，其更包括：

利用已过滤的该些反应性自由基来清洗所述暴露的介电层。

15.如权利要求14所述的方法，其更包括：

将一阻障层沉积于已清洗的所述介电层的至少一部分。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述介电层为一低介电常数(k) 材料。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述清洗步骤更包括：

将所述处理室的压力维持在小于400毫托(mTorr)；

施加介于1200～1800瓦特(W)之间的一远端等离子体源功率；以 及

将一氢气流入所述处理室内。

18.如权利要求17所述的方法，其中维持所述处理室的压力的步骤 更包括：

将所述处理室的压力维持于30毫托。

19.如权利要求17所述的方法，其更包括：

将一氦气流入所述处理室内。

20.如权利要求10所述的方法，其更包括：

将所述基材加热至温度介于250℃～350℃之间。

21.一种清洗一介电层的方法，包括：

提供一基材，所述基材设置于一第一处理室内，并具有一至少部分暴 露的介电层；

于一远端等离子体源内产生多个反应性自由基；

将该些反应性自由基由所述远端等离子体源经过一通道流入所述第一 处理室，所述通道具有至少一磁铁设置于邻近所述通道处；

将该些反应性自由基暴露于位于所述远端等离子体源下游的一石英表 面；

由通过所述通道的该些反应性自由基中，以磁性过滤出多个带电粒子；

将来自所述远端等离子体源的该些带电粒子移除；

利用已过滤的该些反应性自由基来清洗所述介电层的暴露部分；

在不破坏真空的情形下，将已清洗的所述基材传输至一第二处理室； 以及

于所述第二处理室中，将一衬垫层沉积于已清洗的所述基材上。