[发明专利]记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物以及使用了该组合物的记录介质主盘的制造方法及母版的制造方法无效
申请号: | 200680013572.7 | 申请日: | 2006-04-18 |
公开(公告)号: | CN101185132A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 今井玄儿;小岛大辅 | 申请(专利权)人: | 关西油漆株式会社 |
主分类号: | G11B7/26 | 分类号: | G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 主盘用正型抗蚀剂 组合 以及 使用 制造 方法 母版 | ||
1.一种记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其特征在于,
含有乙烯基系聚合物,该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元,即:具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。
2.根据权利要求1所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,
还含有通过活化能线而产生热的光热转换物质和通过热而产生酸的热产酸剂。
3.根据权利要求1所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,
所述碱溶性基为羧基。
4.根据权利要求3所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,
所述乙烯基系聚合物为具有下述通式(1)
[化1]
(式中R1表示氢原子或低级烷基,R2表示取代或无取代的烷基)表示的结构单元的乙烯基系聚合物。
5.根据权利要求4所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,具有通式(1)表示的结构单元的乙烯基系聚合物的重均分子量为2,000~300,000。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,
所述乙烯基系聚合物是通过至少使用用烷基乙烯基醚嵌段碱溶性基所得的单体而得到的。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物,其中,
还含有酸。
8.一种记录介质主盘的制造方法,其是具有在基板上形成正型抗蚀剂组合物的层的工序、向该层的规定部照射活化能线的工序、和利用碱显影从所述基板上除去照射部从而在该基板上形成对应信息信号的所述正型抗蚀剂组合物的图案的工序的记录介质主盘的制造方法,其特征在于,
所述正型抗蚀剂组合物含有乙烯基系聚合物,该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元,即:具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。
9.根据权利要求1所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
还含有通过活化能线而产生热的光热转换物质和通过热而产生酸的热产酸剂。
10.根据权利要求9所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
所述活化能线是至少包括所述光热转换物质的最大吸收波长±10nm、该最大吸收波长的1/n的波长及该最大吸收波长的n倍的波长(n表示1以上的整数)的任意一种波长的活化能线。
11.根据权利要求10所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
所述最大吸收波长在200~900nm的范围。
12.根据权利要求8~11中任意一项所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
还具有:在所述显影工序之前将照射了所述活化能线的正型抗蚀剂组合物的层加热的工序。
13.根据权利要求8~12中任意一项所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
所述碱溶性基为羧基。
14.根据权利要求13所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
所述乙烯基系聚合物为具有下述通式(1)
[化2]
通式(2)
(式中R1表示氢原子或低级烷基,R2表示取代或无取代的烷基)表示的结构单元的乙烯基系聚合物。
15.根据权利要求14所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
具有通式(1)表示的结构单元的乙烯基系聚合物的重均分子量为2,000~300,000。
16.根据权利要求8~15中任意一项所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
所述乙烯基系聚合物是通过至少使用用烷基乙烯基醚嵌段碱溶性基所得的单体而得到的。
17.根据权利要求8~16中任意一项所述的记录介质主盘的制造方法,其中,
还含有酸。
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