[发明专利]存储器结构及其编程方法

权利要求书

1.一种用于对存储器件进行编程的方法，该方法包括：

选择要编程的单元，其中所述单元与位线耦接；

施加第一编程脉冲，其中施加第一编程脉冲包括施加第一电压到 所述位线以及施加第三电压到所述单元的阱；

验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程；以及

如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第 一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中施加第二编程脉 冲包括施加第二电压到所述位线以及施加第四电压到所述单元的阱， 其中第二电压与第一电压不同，并且第四电压大于第三电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中第二电压小于第一电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中施加第一编程脉冲和第二编 程脉冲还包括施加第一编程脉冲和第二编程脉冲到所述单元的漏极。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

验证在施加第二编程脉冲之后所述单元是否被编程；以及

重复施加第二编程脉冲以及验证在施加第二编程脉冲之后所述 单元是否被编程的步骤，直到所述单元被编程。

5.如权利要求2所述的方法，其中利用阱偏压施加第二编程脉 冲。