[发明专利]曝光装置、基板处理方法、以及器件制造方法有效
申请号: | 200680014495.7 | 申请日: | 2006-06-29 |
公开(公告)号: | CN101167162A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 藤原朋春;中野胜志 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 处理 方法 以及 器件 制造 | ||
1.一种曝光装置,对形成有薄膜的基板照射曝光用光以使上述基板曝光,其特征在于,具备:
用以检测上述基板上的薄膜形成状态的检测装置。
2.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
上述薄膜通过在上述基板上涂敷规定材料而形成;
上述检测装置检测上述薄膜的涂敷状态。
3.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
具备用以在上述基板上形成液体的液浸区域的液浸机构;
经由上述液浸区域的液体将上述曝光用光照射于上述基板上。
4.如权利要求3所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置在上述液浸区域形成于上述基板上前检测出上述薄膜的形成状态。
5.如权利要求3所述的曝光装置,其特征在于:
上述薄膜包含疏液性的膜。
6.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置以光学方式检测上述薄膜的形成状态。
7.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置具有用以将检测光投射至上述基板上的投射系统、以及可接收经由上述基板的上述检测光的受光系统。
8.如权利要求7所述的曝光装置,其特征在于,具备:
存储装置,预先存储上述薄膜的形成状态与上述受光系统的受光状态的关系;以及
辨别装置,根据存储于上述存储装置的上述关系与上述受光系统的受光结果,辨别上述薄膜的形成状态是否为所希望的状态。
9.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,具备:
用以保持上述曝光用光所照射的上述基板的保持构件;以及
可将上述基板搬送至上述保持构件的搬送装置,
其中,上述检测装置设于上述搬送装置的搬送路径上。
10.如权利要求9所述的曝光装置,其特征在于,具备:
控制装置,根据上述检测装置的检测结果来控制上述搬送装置的动作。
11.如权利要求9所述的曝光装置,其特征在于:
具备设于上述搬送装置的搬送路径上、用以处理上述基板的处理装置;
上述检测装置检测搬入上述处理装置的上述基板的薄膜形成状态。
12.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
具备用以保持上述曝光用光所照射的上述基板的保持构件;
上述检测装置检测处于由上述保持构件保持的状态下的上述基板上的上述薄膜形成状态。
13.如权利要求1至12中任一项所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置检测上述基板边缘的上述薄膜形成状态。
14.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于:
薄膜形成状态的检测是检测薄膜的存在。
15.一种曝光装置,经由液体对基板照射曝光用光以使上述基板曝光,其特征在于,具备:
检测装置,检测上述基板边缘的状态。
16.如权利要求15所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置检测上述基板边缘的薄膜形成状态。
17.如权利要求16所述的曝光装置,其特征在于:
上述薄膜通过在上述基板上涂敷规定材料而形成;
上述检测装置检测上述基板边缘的薄膜涂敷状态。
18.如权利要求16所述的曝光装置,其特征在于:
上述薄膜包含疏液性的膜。
19.如权利要求15所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置检测在上述基板边缘上是否存在有异物。
20.如权利要求15所述的曝光装置,其特征在于:
上述检测装置在上述基板上的至少一部分形成上述液体的液浸区域前,检测出上述边缘的状态。
21.如权利要求20所述的曝光装置,其特征在于:
其进一步具备基板保持构件,能将上述基板保持于上述曝光用光所能照射的位置;
上述检测装置在将上述基板保持于上述基板保持构件前,检测出上述边缘的状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680014495.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造