[发明专利]接枝图案形成方法、通过该方法得到的接枝图案材料和使用其的平版印刷方法无效

专利信息
申请号: 200680014938.2 申请日: 2006-05-02
公开(公告)号: CN101185024A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 川村浩一;若田裕一 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;B82B3/00;C08F299/00;G03F7/26
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人: 耿小强
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接枝 图案 形成 方法 通过 得到 材料 使用 平版印刷
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具有疏油且疏水性的接枝图案的形成方法和通过该方法形成的具有疏油且疏水性的接枝图案材料、以及使用该接枝图案的平版印刷方法。

背景技术

目前,用于作为通过将薄层的蚀刻抗蚀剂或喷墨法产生的小液滴配置在适当部位时的模板,因此对将具有氟等具有强疏油且疏水性的区域形成图案状进行了各种尝试。具体地说,提出了通过气相成长(CVD)在基板正面上形成氟化烷基硅烷等单分子层,通过掩模照射紫外线,从而将照射区域的单分子层分解除去来形成图案的方法(参见例如特开2000-282240号公报)、在基材上结合具有水解性基团和疏油性基团的硅烷化合物,从而形成单分子层,通过喷墨在基板上图案涂布碱液,通过水解作用除去该区域的单分子层的方法(参见例如特开2003-149831号公报)、在基材表面涂布氟聚合物后,使用抗蚀剂,通过蚀刻局部除去氟聚合物的方法(参见例如特开平11-40548号公报)等。

然而,在进行短波紫外线曝光的方法中,为了充分除去单分子层,必须使用特殊波长的紫外线,例如波长172nm的紫外线,但存在该波长的紫外线对玻璃的透过率低,且为了充分除去,必须在10mW/cm2的强度下照射5分钟等在实际方法应用中的问题。此外,在使用喷没或抗蚀剂的方法中,对图案的分辨率存在限定。因此,期望可以将氟等强疏水区域有效地形成期望的图案,使用常用的曝光机就能直接形成图案的图案形成方法。

专利文献1:特开2000-282240号公报

专利文献2:特开2003-149831号公报

专利文献3:特开平11-40548号公报

发明内容

考虑上述现有技术缺点的本发明的目的是提供一种使用常用的曝光机,通过数字数据等而能直接形成高分辨率的图案,且能将使用氟等的强疏油且疏水性区域形成为期望图案的接枝图案形成方法。

此外,本发明的其它目的是提供一种通过上述本发明的接枝图案形成的高分辨率的疏油且疏水性接枝图案和通过在蚀刻阻止剂中使用该疏油且疏水性接枝图案而能进行高分辨率的平版印刷方法。

本发明人进行了精心的研究,结果发现使用通过曝光而产生局部聚合引发活性点的基材,以该活性点为起点,形成具有氟等的强疏油且疏水性官能团的接枝图案,从而能实现上述目的,由此完成本发明。

本发明接枝图案形成方法的特征在于,以在基材表面通过各种方法精制成图案状的活性点为起点,将后述特定的高分子化合物通过接枝聚合固定在基材上,从而形成图案状的接枝聚合物层。其中,还包括通过图案状曝光通式进行图案状产生活性点的工序、在其中进行接枝聚合的工序的方式。

本发明接枝图案形成方法、接枝图案材料和平版印刷方法表示为以下方式。

<1>一种接枝图案形成方法,其特征在于,具有(A)在能通过曝光产生自由基的基材表面,接触具有疏油且疏水性官能团以及聚合性不饱和双键的高分子化合物的工序、和(B)在该基材进行图案状曝光,以通过曝光在基材表面上产生的自由基为起点,接枝聚合该高分子化合物,图像状产生接枝聚合物的工序。

<2>一种接枝图案形成方法,其特征在于,具有(A)在能通过曝光产生自由基的基材表面,接触具有疏油且疏水性官能团、聚合性不饱和双键和亲水性官能团的高分子化合物的工序、和(B)在该基材进行图案状曝光,以通过曝光在基材表面上产生的自由基为起点,接枝聚合该高分子化合物,图像状产生接枝聚合物的工序。

<3>-种接枝图案形成方法,其特征在于,具有(A)在能通过曝光产生自由基的基材表面,接触具有疏油且疏水性官能团以及聚合性不饱和双键,且可溶在碱水或水中,或可膨胀的高分子化合物的工序、和(B)在该基材进行图案状曝光,以通过曝光在基材表面上产生的自由基为起点,接枝聚合该高分子化合物,图像状产生接枝聚合物的工序。

<4>如<2>~<3>中所述的接枝图案形成方法,其特征在于,具有通过水或碱水处理,从而除去未反应的上述高分子化合物的工序。

<5>如<1>~<3>中任一项所述的接枝图案形成方法,其中,上述能通过曝光产生自由基的基材是含有自由基引发剂的基材。

<6>如<1>~<3>中任一项所述的接枝图案形成方法,其中,上述能通过曝光产生自由基的基材是包含具有自由基产生部位的高分子化合物的基材。

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