[发明专利]划分主干像素布局

权利要求书

1.一种成像器，其包含：

第一光电传感器，其用于响应于光产生电荷；

第一转移晶体管，其具有可操作以将所述产生的电荷从所述光电传感器转移到存储节点的转移栅极，所述转移栅极和存储节点位于第一有源区中；

至少一个晶体管，其具有用于从所述存储节点接收电荷且提供输出信号的栅极，所述至少一个晶体管位于与所述第一有源区分离的第二有源区中，其中所述栅极还包含用于电容性元件的电极。

2.根据权利要求1所述的成像器，其中所述至少一个晶体管包含源极跟随器晶体管。

3.根据权利要求1所述的成像器，其中所述栅极通过埋入互连或金属化布线层中的一者来接收所述电荷。

4.根据权利要求1所述的成像器，其中所述转移栅极的至少一部分相对于所述第一光电传感器以一角度定位。

5.根据权利要求4所述的成像器，其中仅所述转移栅极的侧边缘相对于所述第一光电传感器以一角度定位。

6.根据权利要求1所述的成像器，其进一步包含复位晶体管，所述复位晶体管位于所述第一有源区中以用于复位所述存储节点。

7.根据权利要求6所述的成像器，其进一步包含行选择晶体管，所述行选择晶体管经耦合以门控源极跟随器晶体管的输出，所述行选择晶体管提供在所述第二有源区中。

8.根据权利要求1所述的成像器，其进一步包含：

第二光电传感器，其用于响应于光产生电荷；以及

第二转移晶体管，其具有用于将所述产生的电荷从所述第二光电传感器转移到所述存储节点的转移栅极。

9.根据权利要求8所述的成像器，其中所述第一和第二转移晶体管中的每一者具有各自的转移栅极。

10.根据权利要求8所述的成像器，其中第一主干位于至少部分介于所述第一与第二光电传感器之间的区域中。

11.根据权利要求10所述的成像器，其中第二主干位于邻近于所述第一和所述第二光申传感器中的一者的区域中。

12.一种像素阵列，其包含：

第一和第二像素，所述第一像素包含用于响应于光产生光电荷的第一光电传感器，所述第二像素包含用于响应于光产生光电荷的第二光电传感器；

第一有源区，其包含第一和第二转移晶体管结构，所述第一和第二晶体管结构分别用于将所述光电荷从所述第一和第二光电传感器转移到共同存储区；以及

第二有源区，其在物理上与所述第一有源区分离但电连接到所述第一有源区，所述第二有源区包含用于从所述共同存储区读出信号的至少一个晶体管。

13.根据权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一和第二转移晶体管结构中的每一者具有各自的第一和第二转移晶体管栅极。

14.根据权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一有源区进一步包含用于复位所述共同存储区的复位栅极。

15.根据权利要求14所述的像素阵列，其中所述第二有源区进一步包含行选择晶体管，所述行选择晶体管经耦合以门控源极跟随器晶体管的输出。

16.根据权利要求12所述的像素阵列，其进一步包含位于所述第二有源区上方并电连接到所述共同存储区的电容器。

17.根据权利要求16所述的像素阵列，其中源极跟随器晶体管的栅极形成所述电容器的一个电极。

18.根据权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一和第二像素是列邻近像素。

19.根据权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一和第二像素是行邻近像素。

20.一种形成像素阵列的方法，所述方法包含：

在衬底中形成光电传感器；

形成转移栅极，所述转移栅极的至少一部分相对于所述光电传感器成某一角度，所述转移栅极是第一有源区的一部分；

在第二有源区中形成晶体管栅极，所述第二有源区在物理上与所述第一有源区分离，所述晶体管栅极电连接到所述第一有源区；以及

形成电容器，使得所述电容器的电极是所述晶体管栅极。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述形成光电传感器的动作包含形成光电二极管。