[发明专利]用于生成单分散和窄分散的单官能聚硅氧烷的方法

权利要求书

1.一种用于制备单分散或窄分散的单官能聚二甲基硅氧烷合成 物的方法，该方法包括如下步骤：

将六甲基环三硅氧烷与式RLi的烷基锂化合物反应，其中R为 1至8个碳原子的烷基。

2.用于制备单分散或窄分散的羟基-烷基-单官能二甲基硅氧烷 合成物的权利要求1的方法，该方法包括如下步骤：

将六甲基环三硅氧烷与摩尔过量的式RLi的烷基锂化合物在非 极性溶剂中反应以生成甲硅烷醇阴离子，其中R为1至8个碳原子 的烷基；

将所述甲硅烷醇阴离子与摩尔过量的氯二甲基硅烷反应，以生 成具有SiH末端基团的单分散烷基单官能二甲基硅氧烷；和

将所述具有SiH末端基团的烷基-单官能二甲基硅氧烷在铂或铑 催化剂存在下与摩尔过量的(甲基)丙烯酸烯丙氧基羟基丙基酯反应， 以生成具有(甲基)丙烯酸羟基丙基酯醚末端基团的单分散的烷基末端 的聚二甲基硅氧烷。

3.用于制备单分散或窄分散的羟基-官能聚二甲基硅氧烷合成物 的权利要求1的方法，该方法包括如下步骤：

将六甲基环三硅氧烷与计算量的式RLi的烷基锂化合物在非极 性和极性质子惰性溶剂中反应以生成烷基四甲基-四硅氧烷醇阴离 子，其中R为1至8个碳原子的烷基；

将所述烷基四甲基-四硅氧烷醇阴离子与摩尔过量的氯二甲基硅 烷反应，以生成具有SiH末端基团的窄分散烷基末端聚二甲基硅氧 烷；

分馏所述具有SiH末端基团的窄分散烷基末端聚二甲基硅氧烷， 以生成具有SiH末端基团的单分散或窄分散烷基末端聚二甲基硅氧 烷；和

将所述具有SiH末端基团的单分散或窄分散烷基末端聚二甲基 硅氧烷在铂或铑催化剂存在下与摩尔过量的烯丙基缩水甘油基醚反 应，以生成单分散或窄分散的烷基-环氧-mPDMS衍生物；和

将所述烷基-环氧-mPDMS衍生物与(甲基)丙烯酸盐反应，以生 成具有(甲基)丙烯酸羟基丙基酯醚末端基团的单分散或窄分散烷基末 端聚二甲基硅氧烷。

4.用于制备具有末端甲基丙烯酸酯官能团的单分散或窄分散聚 二甲基硅氧烷的权利要求1的方法，该方法包括如下步骤：

将六甲基环三硅氧烷与计算量的式RLi的烷基锂化合物在非极 性溶剂中反应以生成甲硅烷醇阴离子，其中R为1至8个碳原子的 烷基；和

将所述甲硅烷醇阴离子与摩尔过量的甲基丙烯酸氯二甲基甲硅 烷基丙基酯反应，以生成具有甲基丙烯酰氧基丙基末端基团的窄分 散烷基末端聚二甲基硅氧烷；

分馏所述具有甲基丙烯酰氧基丙基末端基团的窄分散烷基末端 聚二甲基硅氧烷，以生成具有甲基丙烯酰氧基丙基末端基团的单分 散烷基末端聚二甲基硅氧烷。

5.用于制备单分散或窄分散的羟基官能的聚二甲基硅氧烷合成 物的权利要求1的方法，该方法包括如下步骤：

将(甲基)丙烯酸烯丙基氧基羟丙酯在铂或铑催化剂存在下与氯二 甲基硅烷反应，以生成具有氯甲硅烷基链终止末端基团的(甲基)丙烯 酸羟丙酯；和

将六甲基环三硅氧烷与计算量的式RLi的烷基锂化合物和所述 具有氯甲硅烷基链终止末端基团的(甲基)丙烯酸羟丙酯在非极性和/或 极性质子惰性溶剂中反应以生成具有(甲基)丙烯酸羟丙酯醚末端基团 的单分散或窄分散烷基末端聚二甲基硅氧烷，其中R为1至8个碳 原子的烷基。

6.一种用于制备单分散或窄分散的单官能聚二甲基硅氧烷合成 物的方法，该方法包括如下步骤：

将六甲基环三硅氧烷与式RLi的烷基锂化合物反应以生成甲硅 烷醇阴离子，其中R为1至8个碳原子的烷基；和

将所述甲硅烷醇阴离子与摩尔过量的氯二甲基硅烷反应。