[发明专利]定位载物台、使用该定位载物台的凸瘤形成装置和凸瘤形成方法有效
申请号: | 200680016862.7 | 申请日: | 2006-05-12 |
公开(公告)号: | CN101176201A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 足立直哉;隅田雅之;关野雅树 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/60 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾旻辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 载物台 使用 形成 装置 方法 | ||
1.一种定位载物台,具备载置晶片的晶片载置面、定位构件和靠押构件;定位构件邻接被载置于所述晶片载置面上的晶片,并且沿大致垂直于所述晶片载置面的方向延伸;靠押构件靠接在被载置于所述晶片载置面上的晶片上,并把该晶片弹力靠押在所述定位构件上,其中,所述靠押构件具有略斜对所述晶片载置面的靠接面,该靠接面靠接在被载置于所述晶片载置面上的晶片的外缘近旁,并且把该晶片沿斜方向靠押在所述晶片载置面上。
2.根据权利要求1记载的定位载物台,其特征在于:所述靠押构件至少其靠接面具有导电性。
3.一种定位载物台,具备载置晶片的晶片载置面和定位构件,定位构件邻接被载置于所述晶片载置面上的晶片,并且沿大致垂直于所述晶片载置面的方向延伸;其中,定位载物台还具有弹性变形构件,该弹性变形构件使所述定位构件靠接在被载置于晶片载置面上的晶片上,并使该定位构件保持在将该晶片定位于规定位置的定位位置上,在超过规定大小的靠押力沿大体反向于被载置于所述晶片载置面上的晶片的方向作用于定位构件上时,所述弹性变形构件就弹性变形,而使所述定位构件沿大体反向于被载置于所述晶片载置面上的晶片的方向从所述定位位置退让。
4.一种凸瘤形成装置,其特征在于:具备至少两台权利要求1、2或3所述的定位载物台(以下简称“载物台”)、加热被载置于所述载物台的所述晶片载置面上的晶片的加热单元和载物台移动单元,该载物台移动单元使所述各载物台在面对焊接装置的凸瘤形成位置与从该凸瘤形成位置退让开的退让位置之间移动,所述载物台移动单元按顺序使所述各载物台移动到所述凸瘤形成位置,所述焊接装置对处于所述凸瘤形成位置的被载置于所述载物台上的所述晶片形成凸瘤;另一方面,从处于所述退让位置的其他所述载物台的所述晶片载置面上取下已经形成了凸瘤的晶片;然后,把要形成凸瘤的晶片载置在该载物台的所述晶片载置面上,由加热单元进行加热。
5.一种凸瘤形成方法,其特征在于:使用至少两台权利要求1、2或3所述的定位载物台(以下简称“载物台”),在被载置于所述载物台的所述晶片载置面上的晶片上依次形成凸瘤,一面移动所述各载物台,一面重复进行如下第一步骤和第二步骤;第一步骤是把第一边的至少一台所述载物台配置在面对焊接装置的凸瘤形成位置,而把另一边的至少一台所述载物台配置在从所述凸瘤形成位置退让开的退让位置;第二步骤是把所述第一边的所述载物台配置在所述退让位置,而把所述另一边的所述载物台配置在所述凸瘤形成位置;在所述第一步骤和第二步骤中,所述焊接装置对处于所述焊接位置的所述载物台的所述片载置面上的晶片形成凸瘤,同时从被配置于所述退让位置的所述载物台的所述晶片载置面上取下已经形成了凸瘤的晶片,然后,把要形成凸瘤的晶片载置在该载物台的所述晶片载置面上,进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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