[发明专利]硅的制造方法有效
| 申请号： | 200680016926.3 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101175694A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 若松智;小田开行 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
半导体级硅生成工序，其中，将三氯硅烷的蒸气与氢气一起供给到包含加热基体的析出反应器内，在该加热基体上生成半导体级硅(A工序)；
氯硅烷分离工序，其中，从来自前述A工序的流出气体，分离氢和氯硅烷(B工序)；
歧化工序，其中，使由前述B工序获得的低沸点硅烷成分和四氯硅烷的混合物流通到氯硅烷的歧化固体催化剂层中，生成三氯硅烷的比率增大的混合物(C工序)；
三氯硅烷分离工序，其中，将由前述C工序得到三氯硅烷的比率增大的混合物进行蒸馏精制，得到三氯硅烷(D工序)；以及
回收工序，其中，将在前述D工序得到的三氯硅烷的一部分转换成太阳能电池用硅，进行回收(E工序)。
2.权利要求1所述的方法，其中，回收工序(E工序)包括将三氯硅烷与氢混合，使反应气体的平均温度上升到500℃以上，析出硅的工序。
3.权利要求2所述的方法，其中，通过将三氯硅烷和氢供给到具有加热到600℃以上的粒子温度的硅流动层，使反应气体的平均温度上升到500℃以上。
4.权利要求2所述的方法，其中，通过将三氯硅烷和氢供给到包含加热到1,200℃以上的碳管的反应器中，使反应气体的平均温度上升到500℃以上。
5.权利要求1～4任一项所述的方法，其中，A工序～E工序的任一工序中，进一步包括补给另外准备的氯硅烷的补给工序(F工序)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社德山，未经株式会社德山许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680016926.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
