[发明专利]曝光装置及元件制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于将光掩膜的图案转印于基板上的曝光装置、及使用该曝光装置的元件制造方法。

本案根据2005年7月11日提出的日本特愿2005-201582号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

在半导体元件、液晶显示元件、摄影装置(CCD(Charge Coupled Device)等)、薄膜磁头等元件的制造步骤之一的光刻步骤，为要将标线片(光掩膜)的图案，通过投影光学系统转印于涂布有光刻胶的晶片(或玻璃板等)上，而使用曝光装置。该曝光装置，使用步进机等整批曝光型(静止曝光型)的投影曝光装置，或扫描步进机等扫描曝光型的投影曝光装置(扫描型曝光装置)等。

近年来，由于元件的高积体化而要求曝光精度(分辨率、转印忠实度、叠合精度、线宽误差等)的提高。从元件制造效率提高的观点，也要求产能(单位时间内能曝光处理的晶片片数)的提高。为要满足这些要求，而谋求保持晶片的晶图载台的高精度化及高速化，及在曝光处理前进行的各种测量所需时间的缩短及高精度化。

为要同时达成上述曝光精度的提高及高产能，已开发具有2个晶片载台的双载台曝光装置。

在以下的专利文献1揭示有一种曝光装置，其将各种测量机器从晶片载台分离，而设置有别于晶片载台的测量载台(具备各种测量机器)，由此来实现进一步提高曝光精度及小设置面积。又，近年来也实现一种液浸式曝光装置，为提高分辨率，而在投影光学系统与晶片之间填满比气体为高折射率的液体，以使投影光学系统的数值孔径增大来提高分辨率。

专利文献1：日本特开平11-1354400号公报

发明内容

然而，今后要求产能的更提高乃时势所趋，而要求曝光精度的提高。又，具备上述复数个晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光装置，为维持期望性能而定期进行各种维护。若能缩短维护所需时间，能使曝光装置的运转时间延长，其结果能谋求产能的提高。

又，现在大多曝光装置是将配置有晶片载台的室(chamber)内以高精度调温。由此，减低用以测量晶片载台位置的激光干涉计的测量误差，并且防止温度变化所产生的构成晶片载台的构件的膨胀及收缩。具备上述复数个晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光装置，虽也将室内以高精度调温，但各载台间的空间容易产生已调温空气(气体)的阻滞，因此有曝光精度降低之虞。

本发明的目的在于提供，能谋求曝光精度及产能更提高的曝光装置、及使用该曝光装置的元件制造方法。

本发明采用对应实施方式所示各图的以下构成。但是，加在各要件的括号符号，仅止于其要件的例示，并非用以限定各要件者。

本发明第1观点的曝光装置，具备第1载台WST、及第2载台MST；且具备：维护装置55，用以进行该第2载台的维护；及控制装置20，在载置于该第1载台的基板W的曝光处理中执行通过该维护装置的维护。

依此发明，对载置于第1载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的控制下执行通过维护装置的第2载台的维护。

本发明第2观点的曝光装置，具备复数个载台WST、MST；该复数个载台中的一载台具备调温装置81～84，用以控制与另一载台间的空间的气体流动，将该一载台及该另一载台的至少一方调温。

依此发明，通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温。

本发明的元件制造方法，包含使用上述任一曝光装置，将元件图案转印于基板上的步骤。

本发明的曝光方法，用以将基板曝光，其包含以下步骤：

使用保持该基板的第1载台执行既定处理；及

在该既定处理的执行中，执行与该第1载台不同的第2载台的维护。

又，本发明的元件制造方法，包含使用上述曝光方法来曝光基板。

依本发明，因对载置于第1载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的控制下执行通过维护装置的第2载台的维护，故能提高曝光装置的运转率。由此，具有能获得产能更提高的效果。

又，依本发明，因通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温，故具有能使曝光精度等提高的效果。

又依本发明的曝光方法，有能获得产能更提高的效果。

再者，依本发明的元件制造方法，因能获得曝光精度及产能量的更提高，故具有将微细元件有效率地制造的效果。其结果，能期待良率提高，进而能降低所制造元件的制造成本。

附图说明