[发明专利]用于生产含有微细填料的硅氧烷组合物的方法

权利要求书

1.一种用于生产包含表面处理的微细填料的硅氧烷组合物的方法，其中

(a)表面处理的微细填料(A)与聚有机硅氧烷(B)的混合在含2～10个硅原子且不含可水解或可缩合官能团的低分子量有机硅化合物(C)的存在下进行，或

(b)将包含表面处理的微细填料(A)与聚有机硅氧烷(B)的混合物与含2～10个硅原子且不含可水解或缩合官能团的低分子量有机硅化合物(C)进行均相混合，

并且基于低分子量有机硅化合物(C)，含有填料的硅氧烷组合物随后去除低分子量有机硅化合物(C)到至少80％的程度，所述表面处理的微细填料(A)、聚有机硅氧烷(B)及有机硅化合物(C)各自可以是单一物质或多种物质的混合物。

2.权利要求1的方法，其中将总共5～150重量份的表面处理的微细填料(A)混入100重量份的聚有机硅氧烷(B)和0.01～30重量份的有机硅化合物(C)以及，如果需要，至多10重量份的其它组分的混合物中。

3.权利要求1或2的方法，其中将总共0.01～30重量份的有机硅化合物(C)混入100重量份的聚有机硅氧烷(B)和5～150重量份已在单独工序中进行表面处理的微细填料(A)的混合物中。

4.权利要求1-3之一的方法，其中所述表面处理的微细填料(A)由于表面处理而具有的碳含量为至少0.01～不大于20重量％，优选为0.1～10重量％，特别优选为0.5～5重量％。

5.权利要求1-4之一的方法，其中所述填料(A)的BET比表面积为至少50m²/g，优选为100～800m²/g，特别优选为150～400m²/g。

6.权利要求1-5之一的方法，其中所述填料(A)为热解或沉淀二氧化硅，特别优选热解二氧化硅。

7.权利要求1-6之一的方法，其中所述聚有机硅氧烷(B)的聚合度为50～10 000，优选100～5000，特别优选100～2000。

8.权利要求1-3之一的方法，其中所述有机硅化合物(C)为含2～10个硅原子的线性、支链或环状低聚硅氧烷，优选六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷或1，3，5，7-四乙烯基-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷，特别优选六甲基二硅氧烷。

9.权利要求1-8之一的方法，其中所述表面处理的微细填料(A)已经用选自通式(I)或(II)的硅烷和包括通式(III)的单元的有机聚硅氧烷的疏水剂进行处理：

R¹_4-xSiA_x    (I)

(R¹₃Si)_yB    (II)

其中

R¹基为相同或不同的单价、未取代或卤素取代的含1～12个碳原子的烃基，

A为卤素、-OH、-OR²或-OCOR²，

B为-NR³_3-y，

R²基为相同或不同的含1～12个碳原子的单价烃基，

R³为氢原子或具有R¹的含义之一，

x为1、2或3，并且

y为1或2，

R⁴_zSiO_(4-z)/2    (III)，

其中

R⁴基为相同或不同的单价、未取代或卤素取代的含1～12个碳原子的烃基；卤原子；或羟基、-OR²或-OCOR²基，并且

z为1、2或3。