[发明专利]用于晶片型件的液体处理的装置及方法

权利要求书

1.一种用于湿式处理具有第一表面平面W1、第二表面平面W2以及边缘表面的晶片型件的限定外围边缘区域的装置，该装置包括：

1.1支撑体，用于保持晶片型件；

1.2液体施加装置，用于将液体施加到不面对该支撑体的该晶片型件的所述第一表面平面W1，以及

1.3连接到该载体的液体引导件，用于将至少部分环绕该晶片型件的边缘表面的所述液体朝面对该载体的该第二表面平面W2引导，从而弄湿至少边缘表面，其中所述液体引导件具环状的形状。

2.根据权利要求1的装置，其中所述边沿相对于该载体从在该晶片型件的该第一表面平面W1与该第二表面平面W2之间的对称平面M突出。

3.根据权利要求1的装置，其中所述环具有相对于该载体从所述第一表面平面W1突出的边沿。

4.根据权利要求1的装置，其中所述环具有比该晶片型件的直径d_W大的外部直径d₁，和比该晶片型件的直径d_W小的内部直径d₂，并且在该环的表面上形成环形边沿，该环的表面对与该晶片型件的该第一表面朝向相同的方向。

5.根据权利要求4的装置，其中d_W与d₂的差不大于3mm(d_W-d₂≤3mm)。

6.根据权利要求1的装置，其中，所述环具有处理时面对晶片型件的表面边缘的内部表面，其中所述内部表面形成在所述内部表面与晶片型件的边缘表面之间的具有不大于2mm(g≤2mm)的间隙距离g的间隙。

7.根据权利要求6的装置，其中当处理时所述面对晶片型件的边缘的内部表面在形状上对应于该晶片型件的边缘表面的形状，从而在所述内部表面和该边缘表面之间形成间隙，间隙距离g在0.8^*g至1.2^*g范围之间的范围内。

8.根据权利要求6的装置，其中所述间隙距离g不大于1mm。

9.根据权利要求1的装置，其中所述环具有面对该晶片型件的该边缘表面的第一环状部分和面对该晶片型件的该第二表面平面W2的第二环状部分。

10.根据权利要求1的装置，其中所述支撑体是可旋转地安装的，用以使该晶片型件围绕垂直于表面平面的轴旋转。

11.根据权利要求1的装置，具有设在支撑体中的气体供给装置，当处理时向在该晶片型件的该第二表面平面W2上引入气体。

12.用于具有第一表面平面W1、第二表面平面W2以及边缘表面的晶片型件的限定外围边缘区域的湿式处理方法，包括：

12.1使用支撑体保持该晶片型件

12.2在所述第一表面平面W1之上施加液体

12.3使用液体引导件，围绕该晶片型件的边缘表面，朝该第二表面平面W2引导所述液体，从而弄湿所述限定的外围边缘区域。

13.根据权利要求12的方法，其中所述液体引导件具有环的形状，其中所述环具有相对于该支撑体从在该晶片型件的该第一表面平面与该第二表面平面之间的对称平面M突出的边沿。

14.根据权利要求12的方法，其中通过旋转该支撑体旋转晶片。