[发明专利]用于晶片型件的液体处理的装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于晶片型件特别是晶片的主表面的限定区域的液体处理的装置和工艺。

背景技术

将在下面描述用于处理晶片型件的限定部分的原因，即，接近边缘的部分，尤其晶片的接近边缘的部分。

晶片，例如硅晶片，在所有面上例如可具有二氧化硅涂层或碳掺杂二氧化硅(例如，SiCOH，Black Diamond)。为了随后的工艺(例如当施加金层或多晶硅层(多晶体硅)时)，以及为了避免这种涂层的片状剥落，可能有必要从晶片去除存在的涂层，至少从主表面的边缘区域中去除存在的涂层，并且同样，可选的在外围表面和/或第二主表面的区域中去除。通过刻蚀工艺发生剥落，刻蚀工艺主要可分为干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺。从半导体基板的主表面的某些区域去除已电镀的金属(例如铜)，同样值得期望。在这种情况下，该区域可为靠近边缘的环形部分或者恰恰其中没有结构的前主表面的区域(其上设置结构的主表面＝器件面)，即，无芯片区域。

另一应用为晶片清洗。此处可能有必要至少在主表面的边缘区域清洗晶片，然而可选的也在其外围表面和/或第二主面表面的区域中清洗晶片，即，去除微粒和/或其它污染物。通过湿法清洗处理完成该工艺。

另一液体处理为层的应用，例如金属的电镀施用(电镀)。可使用或不使用电流完成该工艺，在后面的情况中其被称作“无电电镀”。

该发明致力于湿法刻蚀、湿法清洗或层的湿法化学施用(依靠术语液体处理总结)。将要处理的晶片的表面部分使用处理液弄湿并且因而去除应被去除的层或杂质。在另一情况中层建立在该表面部分中。

在液体处理中，晶片型件可为固定的或者可旋转(例如，围绕垂直于晶片型件的轴)。

为了防止处理液以不受控制的方式到达未处理的表面，US4903717提出一种使用气体使表面洁净的载体(卡盘)，该表面面对载体并且未被处理。在这样做中，气体从晶片边缘和载体之间涌出。

为了选择处理晶片型件的外围限定区域，US6435200B1公开一种用于晶片型件尤其是晶片的限定区域的液体处理的装置，其中在到晶片型件的限定的短距离处存放掩膜，以便可通过毛细作用力使液体保持在掩膜和晶片型件的限定区域之间。

然而，这种器件要求施于晶片不面对掩膜的表面上的液体，首先必须环绕晶片的边缘，因此液体可进入掩膜与面对掩膜的晶片表面之间的空隙。如果液体没有适当地弄湿晶片，明确地，这是一个问题。如果晶片具有不易沾水的表面(例如，裸硅片、有机聚合物)并且用于处理所述表面的液体为亲水液体(例如，水成的溶液)，可能发生这种情况。

假如将要处理非常小的边缘区域(例如，自边缘0.3mm)，出现另一个问题。在这种情况中，如在US6435200B1中描述的掩膜可能不能阻止已经环绕晶片边缘的液体。

发明内容

本发明的目标为提供一种克服上述问题的方法和装置。

本发明通过提供用于湿式处理具有第一表面平面W1、第二表面平面W2以及边缘表面的限定晶片型件外围边缘区域的装置，满足该目标。该装置包括：

-支撑体，其用于保持晶片型件；

-液体施加装置，其用于将液体施加到不面对载体的晶片型件的所述第一表面平面W1以及

-连接到支撑体的液体引导件，其用于将至少部分环绕晶片型件的边缘表面的所述液体朝面对支撑体的晶片型件的第二表面平面W2引导从而弄湿至少边缘表面，其中所述液体引导件具环状形状。

使用这种装置，现在有可能促使液体围绕晶片型件的边缘。即使对于不润湿或者极度润湿该件的表面的液体，这也是可能的。

优选地所述边沿相对于支撑体从在晶片型件的第一表面平面与第二表面平面之间的对称平面M突出。这有助于收集在晶片型件的第一表面平面之上流出的液体。

在本发明的优选实施例中，所述环具有相对于支撑体从所述第一表面平面W1突出的边沿。这导致液体引导件的较好的收集能力。

在有优势的实施例中，环具有比晶片型件的直径d_W大的外部直径d₁和比晶片型件的直径d_W小的内部直径d₂并且在环的表面上形成环形边缘。该环形边缘面对与晶片型件第一表面相同的方向。这不仅给处理该件的边缘和斜面区域带来优势，还给处理面对载体的该件的表面平面的外围区域的处理带来优势。

如果d_W与d₂的差不大于3mm(d_W-d₂≤3mm)，是有利的。