[发明专利]具有BPSG膜和SOD膜的基板的蚀刻液

权利要求书

1.一种蚀刻液，其特征在于，

含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，

对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。

2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为醚类化合物。

3.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为通式R¹-O-(CH₂CH₂-O)_n-R²或R¹-O-(CH(CH₃)CH₂-O)_n-R²所示的化合物，式中，n表示1、2、3或4，R¹或R²相同或不同，表示低级烷基或低级烷基羰基。

4.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为通式R¹-O-(CH(CH₃)CH₂-O)_n-R²所示的化合物，式中，n表示2、3或4，R¹和R²中的一个表示低级烷基或低级烷基羰基，另一个表示氢原子。

5.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

蚀刻液的所述有机溶剂的闪燃点为60℃以上。

6.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，

含有0.005mol/kg～0.1mol/kg的选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种，和小于5重量％的水。

7.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为选自四氢呋喃、乙二醇二低级烷基醚、丙二醇二低级烷基醚、乙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、丙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯和一缩二丙二醇单低级烷基醚中的至少一种。

8.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为选自四氢呋喃、乙二醇二低级烷基醚、丙二醇二低级烷基醚、乙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、丙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、一缩二丙二醇单低级烷基醚和二缩三丙二醇单低级烷基醚中的至少一种。

9.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐为氨或单低级烷基胺的二氟化物盐。

10.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

选自氟化物盐和二氟化物盐中至少一种盐为选自氟化氢铵、单低级烷基胺的二氟化物盐、二低级烷基胺的二氟化物盐、三低级烷基胺的二氟化物盐、单(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐、二(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐和三(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐中的至少一种。

11.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐为选自单低级烷基胺的二氟化物盐、三低级烷基胺的二氟化物盐、单(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐和二(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐中的至少一种。

12.一种蚀刻液，其特征在于，

含有0.005mol/kg～0.1mol/kg的选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种，小于3重量％的水，和二缩三丙二醇单低级烷基醚。

13.如权利要求12所述的蚀刻液，其特征在于，

二缩三丙二醇单低级烷基醚为二缩三丙二醇单甲基醚。

14.一种蚀刻处理物的制造方法，其特征在于，

利用权利要求1或12所述的蚀刻液，对被蚀刻物进行蚀刻处理。

15.一种通过权利要求14所述的方法而得到的蚀刻处理物。