[发明专利]具有BPSG膜和SOD膜的基板的蚀刻液

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻液、蚀刻处理物的制造方法和由该方法能够得到的蚀刻处理物。更详细地讲涉及以等速度或接近其的蚀刻速率对无退火的硼磷玻璃膜(BPSG)等的无退火掺杂氧化膜和无退火的SOD膜、TEOS膜、热氧化膜(THOX)等非掺杂氧化膜进行蚀刻的蚀刻液、蚀刻处理物的制造方法和由该方法能够得到的蚀刻处理物。

背景技术

在超微细器件的实现中，特别是由于必须抑制掺杂剂在晶体管中的扩散，ULSI等超微细器件利用低温化处理制造。在低温化处理中，要求无退火的BPSG膜和热氧化膜的选择比、无退火的SOD膜和热氧化膜的选择比都是相同程度，并且约为3以下的蚀刻液。

本申请人，在专利文献1中提出退火的BPSG膜和热氧化膜的选择比为1.5以下的蚀刻液。

然而，本发明人等的研究发现，在专利文献1中使用的由氟化物盐、水、乙醇构成的蚀刻液中，由于利用低温化处理制造的无退火的BPSG膜和热氧化膜的选择比或无退火的SOD膜和热氧化膜的选择比中的任一个或两个超过3，因此作为利用低温化处理制造的超微细器件的蚀刻液不合适。

[专利文献1]特开2000-164585号公报

发明内容

本发明的目的是提供以等速度或接近其的速度对利用低温化处理制造的超微细器件的无退火的BPSG膜和热氧化膜以及无退火的SOD膜和热氧化膜进行蚀刻的蚀刻液、蚀刻方法和蚀刻处理物。

本发明涉及以下的项1～项15。

项1.一种蚀刻液，其特征在于，含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。

项2.如项1所述的蚀刻液，其特征在于，具有杂原子的有机溶剂为醚类化合物。

项3.如项1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为通式R¹-O-(CH₂CH₂-O)_n-R²或R¹-O-(CH(CH₃)CH₂-O)_n-R²(式中，n表示1、2、3或4，R¹或R²相同或不同，表示低级烷基或低级烷基羰基)所示的化合物。

项4.如项1所述的蚀刻液，其特征在于，

具有杂原子的有机溶剂为通式R¹-O-(CH(CH₃)CH₂-O)_n-R²(式中，n表示2、3或4，R¹和R²中的一个表示低级烷基或低级烷基羰基，另一个表示氢原子)所示的化合物。

项5.如项3或4所述的蚀刻液，其特征在于，蚀刻液的上述有机溶剂的闪燃点为60℃以上。

项6.如项2、3或4所述的蚀刻液，其特征在于，含有0.005mol/kg～0.1mol/kg的选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种，和小于5重量％的水。

项7.如项1～6中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，具有杂原子的有机溶剂为选自四氢呋喃、乙二醇二低级烷基醚、丙二醇二低级烷基醚、乙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、丙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯和一缩二丙二醇单低级烷基醚中的至少一种。

项8.如项1～6中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，具有杂原子的有机溶剂选自四氢呋喃、乙二醇二低级烷基醚、丙二醇二低级烷基醚、乙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、丙二醇单低级烷基醚单低级烷酰基酯、一缩二丙二醇单低级烷基醚和二缩三丙二醇单低级烷基醚中的至少一种。

项9.如项1～7中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐为氨或单低级烷基胺的二氟化物盐。

项10.如项1～8中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐为选自氟化氢铵、单低级烷基胺的二氟化物盐、二低级烷基胺的二氟化物盐、三低级烷基胺的二氟化物盐、单(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐、二(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐和三(低级烷氧基烷基)胺的二氟化物盐中的至少一种。