[发明专利]形成小型紧密间隔特征阵列的方法

权利要求书

1.一种在阵列中形成特征的方法，其包括：

减小一列第一光可界定线的间距以形成列图案；以及

减小一行第二光可界定线的间距以形成行图案，所述行图案与所述列图案交叉，

所述行图案具有行线和行间隔，所述行线遮掩所述下伏列图案的未暴露部分，且所述行间隔留下所述下伏列图案的暴露部分，所述交叉的列与行图案包括具有第三图案的组合掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括去除所述列图案的至少一些所述暴露部分中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合掩模界定隔离的特征。

4.根据权利要求2所述的方法，其中减小所述列的间距包括在所述第一光可界定线的侧壁上形成侧壁间隔物。

5.根据权利要求2所述的方法，其中减小所述行的间距包括在所述第二光可界定线的侧壁上形成侧壁间隔物。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述组合掩模来蚀刻下伏衬底中的隔离的特征。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在将所述隔离的特征蚀刻到下伏于不同层下的衬底中之前，将所述第三图案转移到所述不同层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述不同层由无定形碳所形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述光可界定线由光致抗蚀剂形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光可界定线垂直于所述第二光可界定线。

11.根据权利要求1所述的方法，其中减小所述第一光可界定线的间距在形成所述行的第二光可界定线之前发生。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离的特征包括孔。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

用导电材料填充所述孔，直到所述导电材料溢出为止；以及

用化学机械平面化来蚀刻所述导电材料的溢出部分，以产生隔离的触点。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述行图案包括遮掩特征的第二布置，且所述列图案包括遮掩特征的第一布置，其中所述行图案上伏于所述列图案上，其中遮掩特征的所述第一与第二布置中的每一者具有由共用材料形成的部分，其中第一下伏层也由所述共用材料形成，其中第二下伏层位于所述第一下伏层之下，且其中所述方法进一步包括同时蚀刻来自遮掩特征的所述第一和所述第二布置两者的所述共用材料的暴露部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其在蚀刻来自遮掩特征的所述第一和所述第二布置两者的所述共用材料的暴露部分之后，进一步包括同时蚀刻来自所述第一下伏层和遮掩特征的所述第二布置的所述共用材料的暴露部分，以暴露所述第二下伏层的隔离的部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其在暴露所述第二下伏层的隔离的部分之后，进一步包括通过选择性地蚀刻所述第二下伏层的所述暴露的隔离的部分使所述第三图案延伸到所述第二下伏层中，以在所述第二下伏层中产生孔。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述共用材料是氧化物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述共用材料是二氧化硅。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二下伏层是无定形碳。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离的特征包括柱。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述行图案包括遮掩特征的第二布置，且所述列图案包括遮掩特征的第一布置，其中遮掩特征的所述第二布置上伏于遮掩特征的所述第一布置上，其中遮掩特征的所述第一和所述第二布置中的每一者具有由共用材料形成的部分，且其中下伏层也由所述共用材料形成。

22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括去除遮掩特征的所述第一布置的不是由所述共用材料形成和未由所述共用材料遮掩的那些部分。