[发明专利]形成小型紧密间隔特征阵列的方法

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及以下申请案：2005年5月23日申请的第11/134,982号美国专利申请案(代理人案号：MICRON.317A)；2004年9月9日申请的第10/932,993号美国专利申请案(代理人案号：MICRON.293A)；2004年9月2日申请的第10/934,778号美国专利申请案(代理人案号：MICRON.294A)；2004年8月31日申请的第10/931,771号美国专利申请案(代理人案号：MICRON.295A)；2004年9月2日申请的第10/934,317号美国专利申请案(代理人案号：MICRON.296A)。上文提及的参考中的每一者的全文以引用的方式并入本文中，并构成本说明书的一部分。

技术领域

所揭示的本发明大体上涉及集成电路制造、用于制造计算机存储器的技术以及遮掩技术。

背景技术

由于许多因素(包含现代电子设备中对提高的便携性、计算能力、存储容量以及能量效率的需求)，集成电路的尺寸不断减小。为了有助于此尺寸减小，继续研究减小集成电路的组成特征的尺寸的方法。所述组成特征的实例包含电容器、电触点、互连线以及其它电气装置。减小特征尺寸的趋势(例如)在存储器电路或装置中是明显的，所述存储器电路或装置例如是动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、铁电(FE)存储器、电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器等。

计算机存储器通常包括数百万个相同的电路元件(称为存储器单元)，其以具有相关联逻辑电路的多个阵列的形式布置。每个存储器单元按照惯例存储一个信息位，但是多电平单元装置每单元可存储一个以上位。存储器单元在最一般的形式下通常由两个电气装置组成：存储电容器和存取场效应晶体管。每个存储器单元都是可存储一个数据位(二进制数字)的可寻址位置。可通过晶体管将位写入到单元，且可通过从参考电极侧感测存储电极上的电荷来读取位。可从较高密度组件受益的一种常见类型的计算机存储器是DRAM。通过减小组成电气装置的尺寸、减少连接所述电气装置的导电线以及减少在电气装置之间运载电荷的导电触点，可减小并入有这些特征的存储器装置的尺寸。可通过将更多的存储器单元装配到存储器装置中来提高存储容量和电路速度。

对不断减小特征尺寸的需求对用于形成所述特征的技术提出越来越高的要求。举例来说，通常使用光刻来在衬底上对特征进行图案化。间距的概念可用于描述这些特征的尺寸。间距是两个相邻特征中的相同的点之间的距离。这些特征通常由邻近特征之间的间隔来界定，所述间隔可由例如绝缘体的材料来填充。因此，可将间距视为特征的宽度与使所述特征与相邻特征分离的间隔的宽度的总和。

某些光致抗蚀剂材料仅对某些光波长作出反应。可使用的一种常见波长范围是紫外线(UV)范围。因为许多光致抗蚀剂材料选择性地对特定波长作出反应，所以光刻技术每一者都具有最小间距，在所述最小间距以下，特定的光刻技术不能可靠地形成特征。此最小间距通常由可与所述技术一起使用的光波长来确定。因此，光刻技术的最小间距可能限制特征尺寸减小。

间距倍增(或间距加倍)可扩展光刻技术的能力，从而允许产生更密集布置的特征。在图1A到图1F中说明且在颁发给Lowrey等人的第5,328,810号美国专利中描述此类方法，所述美国专利的整个揭示内容以引用的方式并入本文中，并构成本说明书的一部分。为了方便起见，此处也将简要概述所述方法。