[发明专利]焊料补片形成方法及半导体元件的安装方法有效
申请号: | 200680018009.9 | 申请日: | 2006-04-25 |
公开(公告)号: | CN101180717A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 北江孝史;中谷诚一;小岛俊之;小松慎五;山下嘉久 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 焊料 形成 方法 半导体 元件 安装 | ||
1.一种焊料补片形成方法,是在具有多个端子部的电子部件的该端子部上形成焊料补片的方法,其特征在于,包括:
准备在表面形成有多个突起部或凹部的平板的工序;
将所述平板与所述电子部件相对配置,并向所述平板和所述电子部件的间隙供给含有焊料粉末的树脂组成物的工序;
加热所述树脂组成物,使该树脂组成物中含有的所述焊料粉末熔融,通过使该熔融的焊料粉末自聚集到所述端子部上而使之成长到所述平板的表面,由此在所述端子部上形成焊料补片的工序;以及
在冷却所述焊料补片并使其硬化后,去除所述平板的工序,
其中,所述焊料补片具有与所述突起部对应的洼部或与所述凹部对应的突状部。
2.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,所述树脂组成物在形成所述焊料补片的工序中还含有加热所述树脂组成物时沸腾或分解并排出气体的对流添加剂。
3.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,供给所述树脂组成物的工序包括:
向所述电子部件上供给所述树脂组成物的工序;和
与所述电子部件对置地使所述平板抵接所述树脂组成物的表面的工序。
4.如权利要求3所述的焊料补片形成方法,其特征在于,在使所述平板与所述树脂组成物抵接的工序中,
使所述突起部与所述端子部接触地使所述平板与所述树脂组成物的表面抵接。
5.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,所述电子部件是配线基板或半导体元件。
6.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,在所述突起部或所述凹部的表面形成有相对于焊料具有润湿性的金属膜。
7.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,在所述突起部或所述凹部的表面形成有相对于该突起部或该凹部具有起模性的起模层。
8.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,在去除所述平板的工序之后,还含有去除所述树脂组成物的工序。
9.如权利要求1所述的焊料补片形成方法,其特征在于,形成所述焊料补片的工序包括下述工序:
加热所述树脂组成物,使所述树脂组成物自聚集到所述端子部上,然后,进一步加热所述树脂组成物,使该树脂组成物中含有的所述焊料粉末熔融,通过使该熔融的焊料粉末自聚集到所述端子部上而使之成长到所述平板的表面,由此,在所述端子部上形成焊料补片。
10.一种半导体元件的安装方法,是在配线基板上安装半导体元件的方法,其特征在于,包括:
在所述半导体元件或所述配线基板中的一个的端子部上形成具有洼部的焊料补片的工序;
在所述半导体元件或所述配线基板的另一个的端子部上形成具有突状部的焊料补片的工序;以及
将在所述半导体元件的端子部上形成的焊料补片和在所述配线基板的端子部上形成的焊料补片彼此嵌合并接合的工序,
其中,具有所述洼部的焊料补片及具有所述突状部的焊料补片的至少其中之一是通过所述权利要求1所述的焊料补片形成方法形成的。
11.如权利要求10所述的半导体元件的安装方法,其特征在于,将所述焊料补片彼此嵌合并接合的工序含有使彼此嵌合的所述焊料补片的至少一方熔融的加热工序。
12.如权利要求11所述的半导体元件的安装方法,其特征在于,所述半导体元件的焊料补片和所述配线基板的焊料补片由不同的焊料材料构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680018009.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造