[发明专利]光刻用清洗液

说明书

技术领域

本发明涉及通过光刻技术制造抗蚀图案时所使用的清洗液，特别涉及适合将铺设于基板上的抗蚀膜的不需要的部分或残留于光致抗蚀剂供应装置的光致抗蚀剂组合物溶解、去除的光刻用清洗液。

背景技术

半导体元件或液晶显示元件等所使用的基材通常经以下工序制造：将光致抗蚀剂涂布于硅晶片或玻璃基板上，形成抗蚀图案。但在将该光致抗蚀剂涂布于基板表面时，因抗蚀剂会附着于基板的边缘部分或背面部分，因而会成为其后进行的形成抗蚀图案时的障碍，故必须预先将该不需要的抗蚀剂清洗去除。另外，就光致抗蚀剂供应装置而言，有必要除去残留、附着于装置内的不需要的光致抗蚀剂残留物去除。

作为这些目的而使用的清洗液，使用以下溶剂，其可以有效地将不需要的抗蚀剂溶解去除，并能迅速干燥，而且，对清洗后的抗蚀膜特性不会造成损害。

另外，使用表面设置有光致抗蚀膜的基板来制造抗蚀图案时，光致抗蚀剂的残留物析出并附着、干燥于所使用的装置、配管、器具等上时，将会造成后续操作障碍，因此，对于用于溶解去除前述抗蚀剂附着物的清洗剂，可使用多种多样的溶剂。另外，作为这些清洗剂，希望在尽可能短的时间内将抗蚀剂的附着物完全溶解去除，且不会对后续处理步骤造成不良影响。

其中，这些清洗剂中大部分为使用特定的醚系溶剂、酯系溶剂或其混合物，或这些溶剂与特定的酮系溶剂、内酯系溶剂或醇系溶剂的混合物为主要成分。

并且，目前为止，例如，作为使用特定醚系溶剂作为主要成分的清洗剂，已知例如，在乙二醇、丙二醇或二丙二醇的低级烷基醚等二醇醚类中溶解有碱性物质所得的用于去除抗蚀剂的清洗液(JP9-269601A)、含有二丙二醇单低级烷基醚的抗蚀剂去除剂(JP9-31147A)、含有丙二醇烷基醚与酮以及内酰胺类或内酯类的清洗去除用于抗蚀剂的溶剂(JP11-218933A)、包含丙二醇烷基醚、乙二醇烷基醚或烷氧基丁醇与低级醇的光刻用清洗剂(JP11-44960A)等。使用特定酯系溶剂为成分的清洗剂，已知例如，含有单氧代羧酸酯和酮的抗蚀剂清洗用溶剂(JP4-130715A)、含有乙酸丁酯或乳酸乙酯和丙二醇单烷基醚的抗蚀剂清洗去除用溶剂(JP7-128867A)、含有乙基丙醇酸酯和乙基-3-乙氧基丙酸酯的光致抗蚀剂清洗用稀释剂组合物(JP10-104847A)、包含乙酸烷基酯或乳酸烷基酯和醇的光刻用清洗剂(J11-44960A)、包含乳酸烷基酯和丙二醇单烷基醚乙酸酯以及酮的光致抗蚀剂去除用稀释剂组合物(JP2005-128529A)等。

但是，对于这些清洗液来说，由于设置于半导体制造生产线上的光刻用清洗液的供应配管的数量有限，故需要一种可普遍用于通用的使用目的，具体而言，例如，容器内的清洗、基板边缘部的清洗、基板背面部的清洗、配管的清洗、重制过程(rework)的清洗、预湿过程等的清洗液。

但是目前为止已知的光刻用清洗液，难以溶解以丙烯酸系聚合物作为成分的ArF准分子激光用抗蚀剂，因而不能充分进行基板边缘部或背面部的清洗，并且，虽然可以从附着有ArF准分子激光用抗蚀剂的残留物的抗蚀剂供应装置内部物品(旋转涂布器内的石英容器(コ一タ一カツプ)或配管)上，清洗去除抗蚀剂不需要的部分或残留物，但尚未达到可以满足通用的效果。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种清洗液，该清洗液对于采用目前为止的清洗液不能充分进行洗净的ArF类型的抗蚀剂，同样显示出良好的清洗性，并且处理后的干燥性良好，也不会因该清洗而损害抗蚀剂的特性。

解决问题的方法

本发明者们为了开发在采用光刻技术制造抗蚀图案时适合使用的、并且对于以往清洗液不能去除的ArF抗蚀剂的残留物也显示出优良的溶解性的清洗剂，反复进行深入研究的结果发现，单独使用烷氧基羧酸烷基酯或其与烷氧基苯的混合物时，对于ArF抗蚀剂的残留物，与以往的清洗剂相比，显示出约3～10倍的溶解力，基于该发现而完成了本发明。

即，本发明为提供一种包含单独的烷氧基羧酸烷基酯或其与烷氧基苯的混合溶剂的光刻用清洗液。

本发明的清洗剂，可以是单独的烷氧基羧酸烷基酯，也可以是烷氧基羧酸烷基酯与烷氧基苯的混合物。