[发明专利]环氧树脂组成物以及包含该组成物的粘晶剂无效

专利信息
申请号: 200680018726.1 申请日: 2006-08-23
公开(公告)号: CN101184809A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 本田刚;竹中博之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08L33/12;H01L21/52
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 环氧树脂 组成 以及 包含 粘晶剂
【说明书】:

技术领域

本发明是关于一种形成稳定的B阶状态的环氧树脂组成物。并且,本发明是关于一种可于线连接工艺等的同时进行硬化的环氧树脂组成物。这些环氧树脂组成物可较好地用于半导体用粘晶剂用途中。

背景技术

环氧树脂的粘着性、耐热性、耐湿性优良,故而使用于各种用途中。特别是液状环氧树脂,于不断推进微细化、高速化的半导体领域中,亦可对应复杂、微细的设计的元件,近年来其应用领域正显著扩大。另一方面,液状环氧树脂,其粘度或者流动性等影响操作性的因素易于变动,于处理时需细心的注意。将晶片固定于基板上的粘晶材料最需要注意。

近年来伴随元件的高速化、高密度化,晶片走向大型化,而且研究了一种于垂直方向上积层多个晶片,提高集积度的方式。因此对于粘晶剂,除先前的性能之外,亦要求可进一步准确并且高效地安装大型化、多层化的晶片。作为现今主流的粘晶剂为于液状环氧树脂中添加有二氧化硅或者氧化铝等无机填充料或者银等导电性填充料的粘晶剂,将该粘晶剂涂布、印刷于基板上以装载晶片。然而,该方式难以准确并且高效地安装大型、多层化的晶片,并且有产生空隙或流出或者晶粒位移(die shift)等问题的可能。

为解决上述问题,提案有如下的方式:将液状环氧树脂涂布于基板上后,以较低温度加热,使之失去流动性,即使之成为所谓的B阶状态,于其上装载晶片后,再将树脂完全硬化。该B阶化的方法有:(1)于中途强制停止硬化反应的方法;(2)使硬化温度区域较低的反应系统共同存在,使该反应系统硬化的方法(例如专利文献1)。其中方法(1),虽然是可适应的反应系统的种类较多,并且是容易的方法,但B阶状态的稳定性不充分。另一方面,方法(2)存在反应系统的种类受限制,并且B阶状态的稳定性并不一定充分的问题。此处,所谓稳定性是表示即使以B阶状态放置预定时间后,亦表现出与初期几乎相同的状态。若该稳定性较差,则无法以B阶状态保存产品,产品良率降低。

装载晶片后,粘晶剂自B阶完全硬化成为所谓的C阶状态,但若因工艺时间的不足等而使硬化不充分,则于后续的工艺,例如,线结合(wirebonding)或者树脂密封(resin seal)的工艺中,有时未硬化成分产生挥发等,导致产生空隙、产品的可靠性下降。而期望即使于线结合工艺等的同时进行硬化,亦不会产生空隙等的粘晶剂。

[专利文献1]日本专利特表2005-513192号公报

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种可形成稳定的B阶状态,并且提供无空隙等的硬化物的环氧树脂组成物以及包含该环氧树脂组成物的半导体用粘晶剂。

即,本发明是一种组成物,其特征为包含:

(A)环氧树脂;

(B)环氧树脂硬化剂,该(B)环氧树脂硬化剂的反应性基的当量,相对于(A)环氧树脂的环氧基的当量的比为0.8~1.25之量;

(C)于25℃下为固体状的热可塑性树脂粒子,相对于(A)环氧树脂与(B)环氧树脂硬化剂的总计100质量份,热可塑性树脂粒子为3质量份~60质量份;以及

(D)环氧树脂硬化促进剂,相对于(A)环氧树脂与(B)环氧树脂硬化剂的总计100质量份,环氧树脂硬化促进剂为0.1质量份~10质量份。

较好的是,(C)于25℃下为固体状的热可塑性树脂粒子选自甲基丙烯酸树脂(Methacrylic resin)、苯氧基树脂(phenoxy resin)、以及丁二烯树脂(butadiene resin)等,具有预定的分子量以及粒径。

上述本发明的组成物,于B阶状态下的保存稳定性优良,可提高半导体产品的良率。进一步,通过调整为预定的挥发成分以及粘度,可提供即使于树脂密封工艺的同时进行硬化的情形时,亦几乎无空隙的硬化物。

附图说明

图1为实施例1的组成物的DSC图。

图2为表示于实施例中制作的装载有硅晶片的试验片的构成的剖面图。

图3为表示空隙以及溢出的概念图。

图4为表示于实施例中制作的经树脂密封的半导体装置试验片的构成的剖面图。

具体实施方式

(A)环氧树脂

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