[发明专利]具有高铝含量的中孔结构化材料

权利要求书

1.中孔结构化材料，其由至少两种基本球形粒子组成，所述每一粒子包括基于氧化铝的中孔结构化基质，所述基质具有1.5-30nm的孔径和占所述基质的46wt％以上的氧化铝含量，并且具有厚度为1-30nm的无定形壁，其中所述基本球形粒子具有10μm的最大直径。

2.根据权利要求1所述的材料，其中所述基于氧化铝的中孔结构化基质包括氧化硅。

3.根据权利要求2所述的材料，其中所述中孔结构化基质具有严格小于1的Si/Al摩尔比。

4.根据权利要求1-3的任一项所述的材料，其中所述中孔结构化基质具有立方体、蠕虫状、胆甾醇型、薄层状、双连续或六角形结构。

5.根据权利要求1-4的任一项所述的材料，其中该材料具有100-1200m²/g的比表面积。

6.根据权利要求1-5的任一项所述的材料，其中所述每一球形粒子包括孔径为0.2-2nm的沸石纳米晶体。

7.根据权利要求6所述的材料，其中所述沸石纳米晶体包括至少一种选自MFI、BEA、FAU和LTA结构型沸石中的沸石。

8.根据权利要求6或7所述的材料，其中所述沸石纳米晶体包括至少一种全硅石型沸石。

9.根据权利要求6或7所述的材料，其中所述沸石纳米晶体包括至少一种含有硅和铝的沸石。

10.制备根据权利要求1-9的任一项所述的中孔结构化材料的方法，包括：a)在溶液中混合至少一种表面活性剂、至少一种铝前体和任选的至少一种硅石前体；b)将步骤a)中获得的溶液进行气溶胶喷雾，形成直径小于或等于200μm的球形液滴；c)干燥所述液滴；以及d)去除所述表面活性剂，获得中孔结构化材料。

11.根据权利要求10所述的制备中孔结构化材料的方法，包括：a₀)在至少一种结构化剂的存在下合成最大纳米尺寸等于300nm的沸石纳米晶体，以获得所述纳米晶体分散于其中的胶态溶液；a’)在溶液中混合至少一种表面活性剂、至少一种铝前体、任选的至少一种硅石前体和至少一种根据a₀)获得的胶态溶液；b’)将步骤a’)中获得的溶液进行气溶胶喷雾，形成直径小于或等于200μm的球形液滴；c’)于燥所述液滴；以及d’)去除所述表面活性剂和所述结构化剂，获得中孔结构/沸石混合材料。

12.根据权利要求10所述的制备中孔结构化材料的方法，包括：a”)在溶液中混合至少一种表面活性剂、至少一种铝前体、任选的至少一种硅石前体和以最大纳米尺寸等于300nm的纳米晶体的形式分散于所述溶液中的沸石晶体；b”)将步骤a”)中获得的溶液进行气溶胶喷雾，形成直径小于或等于200μm的球形液滴；c”)干燥所述液滴；以及d”)去除至少所述表面活性剂和，获得中孔结构/沸石混合材料。

13.包括根据权利要求1-9的任一项的中孔结构化材料或根据权利要求10-12的任一项制备的中孔结构化材料的吸附剂。

14.包括根据权利要求1-9的任一项的中孔结构化材料或根据权利要求10-12的任一项制备的中孔结构化材料的催化剂。