[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

顺序存取的非易失性的存储阵列，具有规定的地址单位的写入限制保存地址，该写入限制保存地址保存具有值增大的特性的数据；

写入数据保持模块，以规定的地址单位保持应写入所述写入限制保存地址中的写入数据；

数据写入模块，以所述规定的地址单位向所述写入限制保存地址写入所述保持的写入数据；

读出模块，读出保存于所述存储阵列的所述写入限制保存地址中的现有数据；

判定模块，判定所述保持的写入数据的值是否为所述读出的现有数据的值以上的值；以及

控制部，当所述写入数据的值小于所述现有数据的值时，不执行由所述写入模块对所述存储阵列的所述写入限制保存地址进行的所述写入数据的写入。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

当所述写入数据的值为所述现有数据的值以上时，所述控制部执行对所述写入限制保存地址的所述写入数据的写入。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

当所述写入限制保存地址数为所述规定的地址单位的n倍(n为自然数)时，

所述判定模块按每个所述规定的地址单位，判定所述写入数据的值是否小于所述现有数据的值，

当在所述写入限制保存地址的任一地址中所述写入数据的值小于所述现有数据的值时，所述控制部不执行对所述所有的写入限制保存地址的所述写入数据的写入。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

当在所有的所述写入限制保存地址中所述现有数据的值为所述写入数据的值以上时，所述控制部通过所述写入模块对所述存储阵列的所有的所述写入限制保存地址执行所述写入数据的写入。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中，

每当由所述读出模块每次1个地址地读出所述现有数据时，所述判定模块从所述写入数据保持模块每次1个地址地读出所述写入数据，并判定所述写入数据的值是否为比所述读出的现有数据的值小的值。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中，

所述判定模块利用由所述读出模块每次1个地址地读出的所述规定地址单位的现有数据、和保持于所述写入数据保持模块中的所述规定地址单位的写入数据，来判定所述写入数据的值是否为比所述读出的现有数据的值小的值。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体存储装置，其中，

在所述存储阵列的写入限制保持地址中，从最高的位依次保存数据，

所述数据写入模块从最高的位依次执行对所述存储阵列的数据写入。

8.一种半导体存储装置，包括：

顺序存取的非易失性的存储阵列，具有规定的地址单位的写入限制保存地址，该写入限制保存地址保存具有值减少的特性的数据；

写入数据保持模块，以规定的地址单位保持应写入所述写入限制保存地址中的写入数据；

数据写入模块，以所述规定的地址单位向所述写入限制保存地址写入所述保持的写入数据；

读出模块，读出保存于所述存储阵列的所述写入限制保存地址中的现有数据；

判定模块，判定所述保持的写入数据的值是否为所述读出的现有数据的值以下的值；以及

控制部，当所述写入数据的值大于所述现有数据的值时，不执行由所述写入模块对所述存储阵列的所述写入限制保存地址进行的所述写入数据的写入。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

当所述写入数据的值为所述现有数据的值以下时，所述控制部执行对所述写入限制保存地址的所述写入数据的写入。