[发明专利]半导体存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及可改写数据的半导体存储装置、顺序存取的半导体存储装置以及针对顺序存取的半导体存储装置的数据写入控制方法。

背景技术

EEPROM、或闪速ROM等可改写数据的半导体存储装置多被用作各种电子设备的存储装置。在电子设备中，有时希望以如下方式来使用这种半导体存储装置，即：对满足预先确定的数据条件的输入数据的改写不作限制，但对不满足该数据条件的输入数据的改写进行限制。例如，可考虑设定“只有在改写数据大于半导体存储装置中存储的数据(称为“被改写数据”)时才执行改写”的条件、或者“只有在改写数据小于半导体存储装置中存储的数据(称为“被改写数据”)时才执行改写”的条件。

然而，以往可改写的半导体存储装置不具有限制数据的改写的系统，只要满足用于改写数据的规定的顺序就可对存储的数据进行改写，因此，无法适用于如上所述数据条件下的改写。

作为对存储装置的数据写入进行控制的技术，例如公知的有在存储装置的外部设置针对存储装置的写入禁止装置。或者，公知的还有如下技术，即：当使用存储装置时，通过在存储装置的位于数据保存区域之后的地址中写入用于表示不允许对数据保存区域进行写入的信息来禁止对数据保存区域进行写入。

此外，公知的还有对于存储阵列的数据单元只允许顺序存取的半导体存储装置、例如EEPROM。这种半导体存储装置因为比较便宜，所以被用作用于保持与耗材的余量或者消耗量相关的数据的存储装置。在这里，由于耗材随着使用而减少，因而，当用于更新的数据、即写入存储阵列中的数据是与耗材有关的数据时，写入的数据的值必须是比存储阵列中已保存的现有数据的值大的值。另一方面，当写入存储阵列中的数据是与余量有关的数据时，写入的数据的值必须是比存储阵列中已保存的现有数据的值小的值。

发明内容

但是，例如存在向半导体存储装置输入的数据在传输过程中发生数据变化的情况，在这种情况下，即便在半导体存储装置中正常地进行了数据的改写，在半导体存储装置中也将存储错误的数据。即，例如在数据具有增大的特性的情况下，有可能对半导体存储装置写入了其值比现有数据小的数据。这里，在为了制止或防止利用耗材的装置受损或出故障而使用与耗材的余量或消耗量有关的数据的情况下，当与耗材的余量或消耗量有关的数据向原来的增减特性相反的方向发生变化时，利用耗材的装置有时就会发生故障。

本发明就是为了解决上述问题而作出的，其目的在于，在半导体存储装置中限制与写入数据所具有的增减特性相反的值的数据的写入。本发明的目的还在于，在半导体存储装置中禁止不满足规定的数据条件的输入数据的写入。

为了解决上述问题，本发明的第一方面提供一种半导体存储装置。本发明第一方面涉及的半导体存储装置包括：顺序存取的非易失性的存储阵列，具有规定的地址单位的写入限制保存地址，该写入限制保存地址保存具有值增大的特性的数据；写入数据保持模块，以规定的地址单位保持应写入所述写入限制保存地址中的写入数据；数据写入模块，以所述规定的地址单位向所述写入限制保存地址写入所述保持的写入数据；读出模块，读出保存于所述存储阵列的所述写入限制保存地址中的现有数据；判定模块，判定所述保持的写入数据的值是否为比所述读出的现有数据的值小的值；以及控制部，当所述写入数据的值小于所述现有数据的值时，不执行由所述写入模块对所述存储阵列的所述写入限制保存地址进行的所述写入数据的写入。

在本发明第一方面涉及的半导体存储装置中，所述控制部也可以在所述写入数据的值为所述现有数据的值以上时，执行对所述写入限制保存地址的所述写入数据的写入。

根据本发明第一方面涉及的半导体存储装置，判定模块判断所保持的写入数据的值是否为比读出的现有数据的值小的值，当写入数据的值为现有数据的值以上时，控制部通过写入模块来执行对存储阵列的写入限制保存地址的写入数据的写入。此外，当写入数据的值小于现有数据的值时，控制部不执行对写入限制保存地址的写入数据的写入。从而，能够限制与值增大的写入数据的特性相反的值的数据的写入。

在本发明第一方面涉及的半导体存储装置中，也可以如下：当所述写入限制保存地址数为所述规定的地址单位的n倍(n为自然数)时，所述判定模块按每个所述规定的地址单位，判定所述写入数据的值是否小于所述现有数据的值，当在所述写入限制保存地址的任一地址中所述写入数据的值小于所述现有数据的值时，所述控制部不对所述存储阵列的所有的所述写入限制保存地址执行通过所述写入模块的所述写入数据的写入。