[发明专利]包括工件和工件之间的导电构件的电子装置无效
申请号: | 200680019671.6 | 申请日: | 2006-05-31 |
公开(公告)号: | CN101189725A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | J·王;G·俞 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 工件 之间 导电 构件 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
第一工件,包括第一电子组件,所述第一电子组件包括第一电极和第一有机层;
第二工件,包括第一导体;以及
第一导电构件,电连接到所述第一电极和所述第一导体,其中所述第一导电构件允许所述电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或进行上述操作的任意组合。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一工件还包括与所述第一电子组件相邻放置的衬底结构。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一导电构件的熔点不高于300℃。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一导电构件的熔点不高于255℃。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一导电构件的熔点不高于240℃。
6.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一导电构件在所述第一电极和所述第一导体之间的中间附近的点处的宽度比所述第一导电构件在接近所述第一电极或所述第一导体的点处的宽度宽。
7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一导电构件的高度至少是3.5微米。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括至少4000个其它的导电构件,其中:
所述第一工件包括至少4000个其它电子组件,其中所述至少4000个其它电子组件中的每一个都包括第一电极;
所述第二工件包括大致类似于所述第一导体的至少4000个其它导体;以及
所述第一导电构件和所述至少4000个其它导电构件中的每一个都大致直接接合到所述第一电极中的至少一个,并大致直接接合到所述第一导体或所述至少4000个其它导体中的任一个。
9.如权利要求8所述的工件,其特征在于,所述第一导电构件和所述至少4000个其它导电构件在所述工件的阵列部分中的密度至少是每平方厘米15.5个导电构件。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于:
所述第一电子组件包括辐射发射组件、辐射响应组件或它们的组合;以及
所述第二工件包括用于控制所述第一电子组件的第一控制电路,其中所述第一控制电路电连接到所述第一导体。
11.如权利要求10所述的电子装置,其特征在于,还包括第二导电构件和第三导电构件,其中:
所述第一电子组件是红色发光组件;
第一有机层包括红色发光有机层;
所述第一工件还包括:
包括第一电极和绿色发光有机层的绿色发光组件;
包括第一电极和蓝色发光有机层的蓝色发光组件;以及
位于所述红色发光组件、所述绿色发光组件以及所述蓝色发光组件之间的衬底结构
所述第二工件包括:
用于控制所述绿色发光组件的第二控制电路,其中所述第二控制电路电连接到第二导体;以及
用于控制所述蓝色发光组件的第三控制电路,其中所述第三控制电路电连接到第三导体;
所述第二导电构件大致直接接合到所述绿色发光组件的第一电极和所述第二导体;以及
所述第三导电构件大致直接接合到所述蓝色发光组件的第一电极和所述第三导体。
12.如权利要求11所述的电子装置,其特征在于:
所述红色发光组件、所述绿色发光组件和所述蓝色发光组件共用一个共用电极;以及
辐射穿过所述红色发光组件、所述绿色发光组件和所述蓝色发光组件的共用电极传输。
13.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一组件至少是背光、静态图像显示器、无源矩阵显示器、传感器阵列或光电池的一部分。
14.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一工件还包括衬底结构,其中:
所述衬底结构接触所述第二工件;或者
覆盖在所述衬底结构上的层接触所述第二工件,其中所述层的成分与所述第一电极大致相同。
15.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括第二导电构件,其中所述第一导电构件和所述第二导电构件中的每一个接触所述第一电极和所述第一导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的