[发明专利]包括工件和工件之间的导电构件的电子装置无效
申请号: | 200680019671.6 | 申请日: | 2006-05-31 |
公开(公告)号: | CN101189725A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | J·王;G·俞 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 工件 之间 导电 构件 电子 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请根据35 U.S.C.§119(e)要求2005年6月6日提交的第60/687,350号美国临时专利申请的优先权,其内容通过引用整体结合于此。
背景信息
公开内容的领域
本公开涉及电子装置,尤其涉及包括工件和工件之间的导电构件的电子装置。
相关技术的描述
包括有机电子装置的电子装置在日常生活中继续更加广泛地使用。有机电子装置的例子包括有机发光二极管(“OLED”)。常规的OLED显示器一般由单一衬底形成。不管是无源矩阵还是有源矩阵,用于驱动OLED的电子电路在OLED本身之前形成。原本良好的电子电路可在OLED的制造期间变得在实际上无价值。例如,在形成OLED时的制造缺陷或差错可导致可工作的驱动器电路电连接到无功能或功能差的OLED。在另一个例子中,OLED的制造可由于处理条件致使驱动器电路无功能或功能变差。这种无功能或功能差的驱动器电路可由温度循环、等离子体损伤等产生。此外,用于OLED的另外的处理增加衬底掉落、破裂、错放或与错误的一批衬底混合的可能性。
在解决该问题的尝试中,一衬底包括电子电路,而另一衬底包括OLED。为了将OLED面板和驱动面板组装在一起,建议了很多方法。可采用各向异性导体,例如,各向异性导电膏(例如,具有低密度导体的膏)或各向异性导电层(例如,具有z轴导体的弹性材料层)。图案化金属凸起是形成两面板之间的电连接的另一种方法。在所有这些尝试中,电连接是通过物理压力实现的,其中OLED像素易受损坏。因此,这些工艺实际上可降低成品率并增加制造成本。为了降低这些缺点的影响,可引入钝化层以保护OLED像素,或者OLED像素可在OLED衬底的另一侧上形成。在这两种方法中,需要制造穿过钝化层或衬底的微通孔的另外的过程。制造用于数百万的像素的微通孔是很难的过程。
概要
在第一方面中,一种电子装置可包括:含有第一电子组件的第一工件,该第一电子组件包括第一电极和第一有机层;含有第一导体的第二工件;以及将第一电极与第一导体电连接的第一导电构件,其中第一导电构件允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其任意组合。
在第二方面中,一种电子装置可包括:含有第一电子组件的第一工件,该第一电子组件包括第一电极和第一有机活性层;以及含有用于控制电连接到第一导体的电子组件的控制电路的第二工件。电子装置还包括将第一电极与第一导体电连接的第一导电构件,其中第一导电构件允许电子装置被可逆地拆卸、可逆地再组装或其任意组合。
上述的一般描述和以下的详细描述是示例性和说明性而不是对如所附权利要求书所限定的本发明的限制。
附图简述
附图中以例子说明了本发明而不作为限制。
图1包括利用本文所述的工艺制造的AMOLED显示器的一部分的电路图的图示。
图2包括在形成共用电极后的工件的一部分的横截面图的图示。
图3包括在共用电极上形成导电构件后图2的工件的横截面图的图示。
图4包括在形成阱结构后图3的工件的横截面图的图示。
图5包括在阱结构内的开口之间形成有机层后图4的工件的横截面图的图示。
图6包括在形成其它电极后图5的工件的横截面图的图示。
图7是包括控制电路和暴露的导体的另一个工件的一部分的横截面图的图示
图8包括图6和图7的工件的俯视图的图示,包括密封材料和对准标记。
图9包括在进行回流操作前图6和图7的工件的横截面图的图示。
图10包括在进行回流操作后图9的工件的横截面图的图示。
图11包括在进行回流操作并形成封装层后图6和图7的工件的横截面图的图示。
图12包括在保护层形成后图5的工件的横截面图的图示。
图13包括在进行蚀刻操作后图12的工件的横截面图的图示。
图14包括在形成电极和其它导电构件后图13的工件的横截面图的图示。
图15包括在形成另外的导电构件后图14的工件的横截面图的图示。
图16包括在形成深蚀(etch-back)层后图15的工件的横截面图的图示。
图17包括在暴露位于衬底结构上的导电构件后图16的工件的横截面图的图示。
图18包括在去除暴露的导电构件后图17的工件的横截面图的图示。
图19包括在去除深蚀层剩余部分后图18的工件的横截面图的图示。
图20包括在进行回流操作前示例性工件的横截面图的图示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的