[发明专利]局部化SOI上方的无电容器DRAM

权利要求书

1.一种在局部化绝缘体上硅上方形成无电容器DRAM的方法，所述方法包含：

提供硅衬底；

在所述硅衬底内界定硅柱阵列；

在所述硅衬底的至少一部分顶部且在所述硅柱之间界定绝缘体层；

在所述绝缘体层顶部所述硅柱周围界定绝缘体上硅层；以及

在所述绝缘体上硅层内部和上方形成无电容器DRAM。

2.根据权利要求1所述的方法，其中界定所述硅柱阵列包含使用光刻技术蚀刻所述硅衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中界定所述绝缘体层包含：

在所述硅衬底上方沉积绝缘体材料以达到至少等于所述硅柱的高度的高度；以及

平面化所述绝缘体材料和硅衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其中界定所述绝缘体上硅层包含：

蚀刻所述绝缘体层在所述硅柱周围的至少一部分以在所述硅柱周围界定沟槽；以及

暴露至少一些包含所述硅柱的硅材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中界定所述绝缘体上硅层进一步包含：

通过选择性外延法在邻近于所述硅柱的侧壁处沉积硅延伸体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中界定所述绝缘体上硅层进一步包含：

通过横向外延过度生长在所述沟槽内沉积额外的硅且转换所述额外的硅。

7.根据权利要求4所述的方法，其中界定所述绝缘体上硅层进一步包含：

通过横向外延过度生长在所述沟槽内沉积硅且转换所述硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述无电容器DRAM包含：

形成由一对存储器单元共享的共用源极，所述存储器单元进一步包含两个浮体、两个栅极和两个漏极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述无电容器DRAM进一步包含：

在所述绝缘体上硅层内形成所述两个浮体。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述存储器芯片上界定外围区和存储器阵列区；以及

在所述存储器阵列区中界定所述绝缘体上硅层，而不在所述外围区的至少一部分中形成绝缘体上硅区。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述至少一个无电容器DRAM单元进一步包含在所述至少一个绝缘体上硅层内界定至少一个浮体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述无电容器DRAM包含针对每两个浮体在所述存储器阵列区中界定单个共享源极。

13.一种存储器装置，其包含：

源极和漏极；

浮体，其形成在所述源极与所述漏极之间，所述浮体界定在局部化绝缘体上硅内；

以及

栅极，其邻近于所述浮体。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述浮体经配置以在相对于所述栅极将所述漏极置于第一升高电压时获得第一状态。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述浮体经配置以在相对于所述漏极将所述栅极置于第二升高电压时获得第二状态。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述第一状态导致所述源极处的源极电流增加，且所述第二状态导致所述源极处的源极电流减少。

17.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述浮体的存储位通过在所述源极处测得的电流来读取。

18.根据权利要求13所述的存储器装置，其进一步包含外围区和存储器阵列区，其中所述局部化绝缘体上硅、所述源极、所述漏极和所述浮体形成在所述存储器阵列区内。

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中所述外围区的至少一部分缺少绝缘体上硅区。

20.根据权利要求18所述的存储器装置，其中源极电流指示存储在所述浮体处的信息。

21.根据权利要求18所述的存储器装置，其中所述浮体由栅极引发漏极泄漏电流操作。