[发明专利]基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置无效
申请号: | 200680021380.0 | 申请日: | 2006-03-06 |
公开(公告)号: | CN101199038A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 新妻裕志;饭沼和久 | 申请(专利权)人: | 东亚合成株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B01D61/14;G03F7/42;H01L21/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基体 表面上 有机 除去 方法 装置 | ||
1.一种有机被膜的除去方法,其中,
使剥离液与基体表面上的有机被膜接触,并除去有机被膜,然后膜滤处理含在剥离液中的来源于有机被膜的成分,由此将所述来源于有机被膜的成分从剥离液中去除,根据需要将去除了来源于有机被膜的成分的剥离液再使用于基体表面上的有机被膜的除去中。
2.根据权利要求1所述的有机被膜的除去方法,其中,
剥离液以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物为主成分。
3.根据权利要求1或2所述的有机被膜的除去方法,其中,
剥离液以碳酸亚烷基酯作为主成分。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的有机被膜的除去方法,其中,
剥离液以碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、或碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯的混合物为主成分。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的有机被膜的除去方法,其中,
膜滤为超滤。
6.一种有机被膜的除去装置,其是具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置,其特征在于,包括:
A.贮槽,其贮存新剥离液;
B.导入新剥离液,且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽;
C.从混合剥离液贮槽机构向接触槽供给剥离液的机构;
D.基体固定器,其收容具有有机被膜的基体;
E.从基体固定器取出具有有机被膜的基体,并导入接触槽中,在接触槽内,使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触,使有机被膜溶解于剥离液中,从基体表面除去有机被膜,从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构;
F.从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液;
G.导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置;
H.使从膜滤装置排出的剥离液循环,并使所述剥离液返回到混合剥离液贮槽的机构。
7.根据权利要求6所述的有机被膜的除去装置,其中,
膜滤装置为超滤膜装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造