[发明专利]基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置无效
申请号: | 200680021380.0 | 申请日: | 2006-03-06 |
公开(公告)号: | CN101199038A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 新妻裕志;饭沼和久 | 申请(专利权)人: | 东亚合成株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B01D61/14;G03F7/42;H01L21/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基体 表面上 有机 除去 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及以电子设备用基板等的表面清洁化为目的的、基体表面上附着的有机被膜的除去方法、及除去装置。具体来说,本发明尤其涉及半导体用晶片或液晶用基板等的加工时使用的光敏抗蚀剂被膜的除去中有用的使用了剥离液的光敏抗蚀剂被膜的除去方法、及除去装置。
背景技术
在氧化膜或多晶硅膜的微细加工中使用的光敏抗蚀剂的除去中,以往开始知道的有使用剥离液的方法。作为所述剥离液,使用了苛性钠或苛性钾等无机强碱水溶液、硫酸及过氧化氢的混合物、IPA(异丙醇)或NMP(正甲基吡咯烷酮)等有机溶剂、单乙醇胺或TMAH(氢氧化四甲基铵)等有机碱性物质等。
但是,在使用了这些剥离液的剥离方法中,不仅不能忽视剥离液自身的危险性或有害性,而且已使用剥离液中混入光敏抗蚀剂树脂,导致抗蚀剂剥离能力降低,因此,难以再利用剥离液,故不得不废弃,从而存在产生大量废弃物,污染环境的问题。
作为解决这样的问题的解决对策,提出了为了再生使用混入有光敏抗蚀剂的剥离液,进行臭氧处理的方法。例如,公开了通过使臭氧作用于由醋酸及/或丙酸构成的剥离液,有选择性地只分解剥离液中的有机物,由此再生剥离液的方法(特开2001-345304号公报)。另外,公开有将由碳酸亚乙酯及/或碳酸亚丙酯构成的剥离液进行臭氧处理,将剥离液中的有机被膜构成物质分解,由此再生利用剥离液的方法(特开2003-330206号公报)。尤其,由碳酸亚乙酯及/或碳酸亚丙酯构成的剥离液几乎不被臭氧处理分解,能够由臭氧处理有选择性地只分解来源于有机被膜的成分,因此,能够构筑可循环再利用剥离液的剥离工序,而且还公开有若干个用于实施该工序的剥离装置(特开2003-305418号公报)。
专利文献1:特开2001-345304号公报
专利文献2:特开2003-330206号公报
专利文献3:特开2003-305418号公报
但是,在臭氧处理中,发现不是所有的来源于有机被膜的成分被完全氧化至水和二氧化碳,一部分变成羧酸及其酯而残留在剥离液中。这样的羧酸或其酯可能对剥离装置的材质产生不良影响,进而还发现降低剥离液剥离有机被膜的速度。
发明内容
本发明的目的在于提供在剥离液中不积蓄有机被膜的薄片或分解成分,因此能够在不降低有机被膜的剥离速度的情况下长期反复再使用剥离液,且对剥离装置的材质不产生不良影响的有机被膜的除去方法及除去装置。
根据本发明可知,为了消除臭氧处理引起的这样的缺陷而不使用臭氧处理,利用膜滤处理含有来源于有机被膜的成分的剥离液,由此,能够除去来源于有机被膜的成分。
根据本发明提供一种有机被膜的除去方法,其中,使剥离液与基体表面上的有机被膜接触,并除去有机被膜,然后膜滤处理含在剥离液中的来源于有机被膜的成分,由此将所述来源于有机被膜的成分从剥离液去除,根据需要将去除了来源于有机被膜的成分的剥离液再使用于基体表面上的有机被膜的除去中。
另外,根据本发明还提供具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置,其特征在于,包括:
A.贮槽,其贮存新剥离液;
B.导入新剥离液,且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽;
C.从混合剥离液贮槽向接触槽供给剥离液的机构;
D.基体固定器(holder),其收容具有有机被膜的基体;
E.从基体固定器取出具有有机被膜的基体,并导入接触槽,在接触槽内,使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触,使有机被膜溶解于剥离液中,从基体表面除去有机被膜,从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构;
F.从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液;
G.导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置;
H.使从膜滤装置排出的剥离液循环,并返回到混合剥离液贮槽的机构。
附图说明
图1是表示本发明的有机被膜的除去装置的例子的整体图。
具体实施方式
本发明的基体表面上的有机被膜的除去方法包括以下工序。
(1)使剥离液与基体表面上的有机被膜接触,剥离、除去有机被膜例如,抗蚀剂膜的工序;
(2)其次,向膜滤装置导入溶解及/或分散了剥离、除去的来源于有机被膜的成分的剥离液,进行过滤处理,从剥离液过滤来源于有机被膜的成分的工序;
(3)将膜滤处理后的剥离液再次再使用于基体表面上的有机被膜的剥离、溶解的工序。还有,再利用剥离液时,通过所有工序,剥离液发生损耗,因此,优选向工序补充新的剥离液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造