[发明专利]用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包含：

衬底，其具有第一表面；

多个存储器单元，其以某一图案排列在所述衬底上，其中所述多个存储器单元包括电荷存储装置和经形成以便延伸到所述衬底中的凹进存取装置，其中所述凹进存取装置在所述衬底中诱发耗尽区且进一步在所述衬底内所述凹进存取装置的凹进周边周围界定电流流动路径；

多个隔离结构，其形成在所述衬底中，以便将所述多个存储器单元彼此隔离，其中所述多个隔离结构包含经形成以便延伸到所述衬底中的凹进存取装置，其中所述多个隔离结构在所述衬底中诱发第二耗尽区。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个存储器单元包括形成于所述衬底的所述第一表面上的电荷存储装置和数字线，其中所述凹进存取装置包含具有经形成以便延伸到所述衬底中的栅极的凹进存取晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述凹进存取晶体管进一步包括形成在邻近所述衬底的所述第一表面处的一对源极/漏极区，且其中所述凹进存取晶体管包括从所述第一表面向内延伸到所述衬底中的栅极结构，使得激活所述栅极导致形成导电沟道，以使得电流在所述两个源极/漏极区之间流动。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个隔离结构经偏置以便界定所述第二耗尽区。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个隔离结构包含多个栅极结构，所述栅极结构经形成以便从所述第一表面延伸到所述衬底中，且其中所述多个栅极结构接地。

6.根据权利要求1所述的装置，其中由所述多个隔离结构形成的所述第二耗尽区与由所述单元的所述凹进存取装置诱发的所述相应第一耗尽区合并，使得可降低所述半导体衬底的掺杂水平而不会增加存储器单元之间的泄漏电流。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个单元中的每一者包含第一和第二多个凹进栅极以及第一和第二电荷存储装置，且其中所述多个单元中的每一者包括共用源极/漏极区，所述共用源极/漏极区在所述第一与第二栅极之间共用且电耦合到单个数字线。

8.根据权利要求7所述的装置，其进一步包含多个源极/漏极区，所述源极/漏极区电耦合到所述电荷存储装置。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底包含p掺杂衬底，且其中所述多个凹进栅极包含凹进存取装置。

10.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含用于激活多个单元的所述栅极的字线和也电连接到多个单元的位线，且其中每个单元的所述栅极界定有源区域，且其中每个单元的所述有源区域相对于所述位线和字线成45度角定向。

11.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含用于激活多个单元的所述栅极的字线和也电连接到多个单元的位线，且其中每个单元的所述栅极界定有源区域，且其中每个单元的所述有源区域相对于所述位线成0度角定向。

12.一种隔离多个存储器单元的方法，所述存储器单元由电荷存储装置和经形成以便延伸到衬底中的凹进存取装置组成，其中所述凹进存取装置在所述衬底中诱发第一耗尽区且进一步在所述衬底内的邻近源极漏极区之间在所述凹进存取装置的凹进周边周围界定电流流动路径，所述方法包含：

形成多个隔离结构以便将所述多个存储器单元彼此隔离，其中所述多个隔离包含凹进存取装置；以及

诱发形成所述多个隔离结构的所述凹进存取装置在所述衬底中形成第二耗尽区以进而抑制单元之间的泄漏。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述隔离结构经偏置以便界定所述第二耗尽区。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述隔离结构经形成以便延伸到所述衬底中，且其中所述隔离结构接地。

15.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述多个隔离结构包含形成所述结构以便插入在邻近凹进存取装置之间。

16.根据权利要求12所述的方法，其中由所述多个隔离结构形成的所述第二耗尽区与由所述单元的所述凹进存取装置诱发的所述相应第一耗尽区合并，使得可降低所述半导体衬底的掺杂水平而不会增加邻近存储器单元之间的泄漏电流。