[发明专利]离子植入方法

权利要求书

1.一种离子植入方法，其包括：

形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征；

将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口；

在所述间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中；以及

在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有相同的大小和形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征在大小和形状的至少一者方面有所不同。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征包含场效应晶体管栅极堆叠，所述堆叠包含栅极介电层、导电层和绝缘帽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述对特征具有至少为3.0的纵横比，且在其之间具有纵横比为至少3.0的间隔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述对特征具有至少为4.0的纵横比，且在其之间具有纵横比为至少4.0的间隔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化光致抗蚀剂层包含有机光致抗蚀剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述对特征中每一者的最外部分的横向牵拉与所述衬底正交偏离1°到10°。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述对特征中每一者的最外部分的横向牵拉与所述衬底正交偏离5°到8°。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化光致抗蚀剂层的移除从所述图案化光致抗蚀剂层被接纳于所述对特征上方时的横向分离程度开始降低所述对特征的最外部分的横向分离程度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述图案化光致抗蚀剂层的移除将所述特征的最外部分的横向分离程度降低到形成所述图案化光致抗蚀剂层之前的横向分离程度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中以与所述衬底正交偏离一角度来进行所述离子植入，且植入到接纳于所述对特征下方的衬底材料中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述离子植入角度等于由所述横向牵拉产生的所述对间隔特征的最外部分的与正交偏离的角度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述离子植入角度大于由所述横向牵拉产生的所述对间隔特征的最外部分的与正交偏离的角度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述离子植入角度小于由所述横向牵拉产生的所述对间隔特征的最外部分的与正交偏离的角度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中将所述图案化光致抗蚀剂层接纳于所述对特征的每一者的不到全部上方。

17.根据权利要求16所述的方法，其中将所述图案化光致抗蚀剂层接纳于所述对特征的每一者的约50％上方。

18.根据权利要求16所述的方法，其中将所述图案化光致抗蚀剂层接纳于所述对特征的每一者的少于50％上方。

19.根据权利要求16所述的方法，其中将所述图案化光致抗蚀剂层接纳于所述对特征的每一者的多于50％上方。

20.一种离子植入方法，其包括：

形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征；

将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离成为与所述衬底正交偏离1°到10°，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口，所述对特征具有至少为3.0的纵横比且在其之间具有纵横比为至少3.0的间隔；

在所述间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中；以与所述衬底正交偏离某一角度来进行所述离子植入，且植入到接纳于所述对特征下方的衬底材料中；以及

在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层；所述图案化光致抗蚀剂层的所述移除从在所述图案化光致抗蚀剂层被接纳于所述对特征上方时的横向分离程度开始降低所述对特征的最外部分的横向分离程度。