[发明专利]离子植入方法

说明书

技术领域

本发明涉及离子植入。

背景技术

离子植入是一种借以将材料引入到衬底中的方法。可将高能带电原子或分子植入到衬底的外表面区中和/或衬底内部较深处，这取决于赋予所述原子或分子的驱动能量。在一种典型使用中，离子植入将增强传导性的掺杂剂离子引入到半导体衬底(例如晶体硅)表面中并使其穿过半导体衬底表面。通过选择合适的植入物种、植入剂量和植入能量，技工可在衬底内形成所需区。

许多离子植入技术从与衬底的大体/整体定向垂直/正交的方向将植入物种驱动到衬底中。然而，在一些情况下，需要形成至少部分地在形成于衬底上方的结构或特征下方接纳的植入区。为了完成所述操作，可与正交偏离某一角度进行离子植入，借此至少部分地在从衬底突出的结构/特征下方接纳植入区。然而，半导体集成电路制作工业的趋势是使得特征变得更长且更靠近。这可有效地排除或至少降低成角度的离子植入方法可有效提供将在特征下方接纳的植入区的程度。

尽管本发明的动机是解决上文指出的问题，但其决不局限于此。本发明仅由如逐字描述的所附权利要求书限制，而不对说明书进行解释性或其它限制性参考，且根据等效物的原则。

发明内容

本发明包括多种离子植入方法。在一个实施方案中，一种离子植入方法包括形成一对从衬底向外突出的间隔且相邻的特征。将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口。在此类间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中。在离子植入之后，从所述衬底移除图案化光致抗蚀剂层。

在一个实施方案中，一种离子植入方法包括形成一对从衬底向外突出的间隔且相邻的特征。确定第一组光致抗蚀剂处理参数，其将在特征上方形成图案化光致抗蚀剂层(其中具有接纳于所述特征中间的开口)后导致所述对特征的最外部分的第一横向分离。使用第二组光致抗蚀剂处理参数来在所述特征上方形成图案化光致抗蚀剂层，所述第二组光致抗蚀剂处理参数导致所述特征的最外部分的第二横向分离，其大于所述第一横向分离。在图案化光致抗蚀剂层位于特征上方的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中。在离子植入之后，从所述衬底移除图案化光致抗蚀剂层。

在一个实施方案中，一种离子植入方法包括形成从衬底向外突出的第一、第二和第三特征。所述第二特征接纳于所述第一和第三特征中间。向内朝向第二特征横向牵拉第一和第三特征的至少最外部分，其中在第一、第二和第三特征上方接纳图案化光致抗蚀剂层。在第二特征上方全部接纳图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层桥接在第一与第三特征之间。图案化光致抗蚀剂层横向暴露第一和第三特征的外侧壁。在第一和第三特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到在第一和第三特征横向外部且邻近第一特征和第三特征的衬底材料中，且所述衬底材料接纳为低于第一和第三特征。在离子植入之后，从所述衬底移除图案化光致抗蚀剂层。

本发明的其它方面也是预期的。

附图说明

下文参看以下附图来描述本发明的优选实施例。

图1是根据本发明一个方面的处于处理中的衬底片段的图解截面图。

图2是在图1所示的处理步骤随后的处理步骤处的图1衬底片段的视图。

图3是在图2所示的处理步骤随后的处理步骤处的图2衬底片段的视图。

图4是在图3所示的处理步骤随后的处理步骤处的图3衬底片段的视图。

图5是根据本发明一个方面的处于处理中的替代实施例衬底片段的图解截面图。

图6是图5的俯视图，其中图5是穿过图6中的线5-5获得的。

图7是在图5所示的处理步骤随后的处理步骤处的图5衬底片段的视图。

图8是在图7所示的处理步骤随后的处理步骤处的图7衬底片段的视图。

图9是在图8所示的处理步骤随后的处理步骤处的图8衬底片段的视图。

具体实施方式